Dimm слот что это

Содержание

Dimm слот что это
- SIMM, DIMM, DDR и другие — как отличить модули оперативной памяти по внешнему виду?
DIMM — DIMM
Варианты
Видео-урок. Технология замены слота DDR
НЕ РАБОТАЕТ СЛОТ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ — ПОЧИНИМ #ЖЕЛЕЗНЫЙ_ПОДКАСТ 17
168-контактная SDRAM
DDR DIMM
SPD EEPROM
Исправление ошибок
Ранжирование
Организация
Скорости
Форм-факторы
См. Также
Ссылки
Внешние ссылки
Registered DIMM SDRAM
- Похожие статьи

«Персоналки» эволюционировали стремительно и в их поочередно применялось несколько различных и несопоставимых меж собой типов оперативки. Естественно, Вы сможете запихнуть в собственный компьютер только тот тип «оперативки», для которого на материнской плате есть подходящий разъем.

БлогNot. SIMM, DIMM, DDR и другие — как отличить модули оперативки по наружному ви.

SIMM, DIMM, DDR и другие — как отличить модули оперативной памяти по внешнему виду?

Если для вас временами приходится колупать «железо», да ещё и старенькое, неувязка вам тоже животрепещуща. В этой заметке написано, как по внешнему облику и размерам найти тип оперативки.

«Персоналки» эволюционировали стремительно и в их поочередно применялось несколько различных и несопоставимых меж собой типов оперативки. Естественно, Вы сможете запихнуть в собственный компьютер только тот тип «оперативки», для которого на материнской плате есть подходящий разъем.

Исторически первой была память SIMM на 30 контактов, её ставили на компы с микропроцессорами от 286 до 486, на данный момент такая память навряд ли кое-где употребляется. Линейный размер модуля памяти равен 89,03 мм, а смотрелся он так:

SIMM на 30 контактов, 89,03 мм

В IBM-совместимых компьютерах также использовалась SIMM на 72 контакта с линейным размером модуля 108,2 мм. Было 2 типа таких модулей — FPM (Fast Page Mode) и EDO (Extended Data Out).

Память FPM ставилась на материнские платы компов с 486 микропроцессором и на 1-ые Pentium’ы (приблизительно до 1995 года выпуска). После чего перебежали на EDO. В отличие от FPM, EDO начинает подборку последующего блока памяти в то же время, когда посылает предшествующий блок центральному микропроцессору.

SIMM на 72 контакта, 108,2 мм

Конструктивно модули схожи, отличить их меж собой можно только по маркировке. Персоналки, поддерживавшие EDO, обычно могли работать и с FPM, а вот оборотной сопоставимости не было.

Приблизительно с 1996 года большая часть производителей стали поддерживать тип памяти SDRAM, получивший заглавие DIMM (Dual In-line Memory Module). Основное отличие DIMM — контакты, расположенные на различных сторонах модуля, независимы, а на SIMM они были замкнуты меж собой и передавали одни и те же сигналы. В первых DIMM было 72 контакта, а в современных модулях DDR4, формально относящихся к этому же типу, аж 288 контактов.

Линейный размер модуля DIMM равен 133,8 мм. Стандартный 5.25-дюймовый разъем памяти DIMM, кстати, имеет размер 133,35 мм.

Память DIMM была очень обширно всераспространена приблизительно до 2001 года, её использовали большая часть компов Pentium и Celeron. После чего пришло время DDR и память фактически не стали именовать «сим» либо «дим».

DIMM на 168 контактов, 133,8 мм

RIMM — это отдельный эталон оперативки, показавшийся в 1999 году. Архитектура памяти RIMM значительно отличается от DIMM/DDR, в компьютерах память RIMM фактически не применялась, а вот в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64 — да. Есть 184-, 168- и 242-контактные RIMM.

RIMM, 133,5 мм

DDR (Double Data Rate) стал последующим поколением SDRAM, впервые такие модули появились на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и классическими SDRAM — для ускорения работы вместо удвоения тактовой частоты модули DDR передают данные дважды за один такт.

DDR на 184 контакта, 133,35 мм

DDR2 — это более новый вариант DDR, теоретически в 2 раза более быстрый. Такая память появилась в 2003 году, а в 2004 стала уже весьма распространённой. Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему облику DDR2 отличается от DDR количеством контактов, 240 против 184 у первого DDR.

Линейный размер модуля не изменился.

DDR2 на 240 контактов, 133,35 мм

DDR3 (появился в 2007 г.), как и DDR2, представляет собой 240-контактную интегральную схему, имеющую по 120 контактов с каждой из двух сторон, но с DDR2 модуль DDR3 электрически не совместим, поэтому расположение «ключа» сделали иным, чтобы не жечь зря память:

DDR3 на 240 контактов, 133,35 мм, положение ключа другое!

Подробней внешнее отличие между DDR, DDR2 и DDR3 видно на этой картинке:

DDR, DDR2, DDR3, сравнение планок по внешнему облику

Тип памяти DDR4 появился в 2014 году, он отличается от предшественника удвоенным до 16 количеством внутренних банков, что позволило увеличить скорость передачи внешней шины.

DDR4 на 288 контактов, 133,35 мм

13 Января 2018, 13:35 [25084 просмотра]

DIMM — DIMM

Три SDRAM DIMM слота на материнской плате компьютера

A DIMM или двухрядный модуль памяти, обычно называемый Накопитель RAM содержит серию динамической памяти с произвольным доступом интегральных схем. Эти модули установлены на печатной плате и созданы для использования в компьютерах, рабочих станциях и серверах. Модули DIMM начали заменять SIMM (одинарные модули памяти) в качестве преобладающего типа модулей памяти, поскольку процессоры на базе Intel P5 Pentium начали завоевывать долю рынка.

Хотя контакты на модулях SIMM с обеих сторон являются резервными, модули DIMM имеют отдельные электрические контакты на каждой стороне модуля. Другое отличие заключается в том, что стандартные модули SIMM имеют 32-битный путь к данным, а стандартные модули DIMM имеют 64-битный путь к данным. Начиная с Pentium Intel, многие процессоры имеют 64-битную ширину шины , что требует установки модулей SIMM в согласованных парах для заполнения шины данных. Затем процессор будет обращаться к двум модулям SIMM параллельно.

Модули DIMM были введены для устранения этого недостатка.

1 Варианты
2 168-контактная SDRAM
3 DDR DIMM
4 SPD EEPROM
5 Исправление ошибок
6 Рейтинг
7 Организация
8 Скорости
9 Форм-факторы
10 См. Также
11 Ссылки
12 Внешние ссылки

Варианты

Варианты слотов DIMM поддерживают DDR, DDR2, DDR3, DDR4 и DDR5 RAM.

Общие типы модулей DIMM включают следующие:

От 70 до 200 контактов

Видео-урок. Технология замены слота DDR

72-контактный SO-DIMM (не то же самое, что 72-контактный SIMM), используется для FPM DRAM и EDO DRAM
100-контактный DIMM, используется для принтера SDRAM
144-контактный SO-DIMM, используется для SDR SDRAM (реже для DDR2 SDRAM)
168-контактный DIMM, используется для SDR SDRAM (реже для FPM / EDO DRAM на рабочих станциях / серверах, может быть 3,3 или 5 В)
172-контактный MicroDIMM, используется для DDR SDRAM
184-контактный модуль DIMM, используемый для DDR SDRAM
200-контактный SO-DIMM, используемый для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM
200-контактный модуль DIMM, используется для FPM / EDO DRAM на некоторых рабочих станциях и серверах Sun.

НЕ РАБОТАЕТ СЛОТ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ — ПОЧИНИМ #ЖЕЛЕЗНЫЙ_ПОДКАСТ 17

204-контактный SO-DIMM, используется для DDR3 SDRAM
214-контактный MicroDIMM, используется для DDR2 SDRAM
240-контактный модуль DIMM, используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM
244-контактный MiniDIMM, используется для DDR2 SDRAM
260-контактный SO-DIMM, используемый для DDR4 SDRAM
260-контактный SO-DIMM, с другим положением выемки, чем в SO-DIMM DDR4, используется для UniDIMM, которые могут нести DDR3 или DDR4 SDRAM
278-контактный модуль DIMM, используемый для HP высокой плотности SDRAM.
288-контактный модуль DIMM, используемый для DDR4 SDRAM и DDR5 SDRAM

168-контактная SDRAM

Расположение выемок на модулях DIMM DDR (вверху) и DDR2 (внизу)

На нижнем краю 168-контактных модулей DIMM есть две выемки, и расположение каждой выемки определяет конкретную функцию модуль. Первая метка — это позиция ключа DRAM, которая представляет RFU (зарезервированное использование в дальнейшем), зарегистрированные и небуферизованные типы DIMM (левое, среднее и правое положение, соответственно). Вторая выемка — это позиция клавиши напряжения, которая соответствует типам модулей DIMM 5,0 В, 3,3 В и RFU (порядок такой же, как и выше).

DDR DIMM

DDR, DDR2, DDR3, DDR4 и DDR5 имеют разное количество контактов и / или разные положения выемок. По состоянию на август 2014 года DDR4 SDRAM представляет собой новый современный тип динамической оперативки (DRAM) с интерфейсом с высокой пропускной способностью («удвоение скорости передачи данных»), который используется с 2013 года. Это более высокоскоростной преемник. в DDR, DDR2 и DDR3. DDR4 SDRAM не является ни прямой, ни обратной совместимой с любым предыдущим типом оперативки (ОЗУ) из-за различных сигнальных напряжений, таймингов, также других факторов, различающихся между технологиями и их реализацией.

SPD EEPROM

Емкость DIMM и другие рабочие параметры можно определить при помощи последовательного обнаружения присутствия (SPD), дополнительной микросхемы, которая содержит информацию о типе модуля и времени для правильной настройки контроллера памяти. SPD EEPROM подключается к шине управления системой и может также содержать термодатчики (TS-on-DIMM).

Исправление ошибок

ECC Модули DIMM — это модули с дополнительными битами данных, которые могут использоваться контроллером системной памяти для обнаружения и исправления ошибок. Существует множество схем ECC, но, пожалуй, наиболее распространенной является исправление одиночной ошибки и обнаружение двойной ошибки (SECDED ), в какой на каждое 64-битное слово используется дополнительный байт. Модули ECC обычно содержат несколько микросхем, кратных 9, а не 8.

Ранжирование

Иногда модули памяти проектируются с двумя или более независимыми наборами микросхем DRAM, подключенными к одним и этим же адресам и шинам данных; каждый такой набор называется рангом . Ранги, которые делят один и тот же слот, только один ранг может быть доступен в любой момент времени; он указывается путем активации сигнала выбора фишки (CS) соответствующего ранга. Остальные ранги в модуле деактивируются на время работы посредством деактивации их соответствующих сигналов CS. В текущее время модули DIMM обычно производятся до четырех классов на модуль. Производители потребительских модулей DIMM недавно начали различать модули DIMM с одним и двумя рангами.

После выборки слова из памяти память обычно недоступна в течение длительного периода времени, пока усилители считывания заряжаются для доступа к следующей ячейке. Посредством чередования памяти (например, ячейки 0, 4, 8 и т. Д. Хранятся вместе в одном ранге), последовательные обращения к памяти могут выполняться быстрее, поскольку усилители считывания имеют 3 цикла простоя для подзарядки между обращениями.

DIMM часто называют «односторонним» или «двусторонним », чтобы описать, расположены ли микросхемы DRAM на одной или обеих сторонах печатной схемы модуля . плата (PCB). Однако эти термины могут вызвать путаницу, поскольку физическое расположение микросхем не обязательно связано с тем, как они логически организованы или доступны.

JEDEC решил, что термины «двусторонний», «двусторонний» или «двухбанковский» неверны при применении к зарегистрированным модулям DIMM (RDIMM).

Организация

Большинство модулей DIMM построено с использованием микросхем памяти «× 4» («на четыре») или «× 8» («на восемь») с девятью микросхемами на сторону; «× 4» и «× 8» относятся к ширине данных чипов DRAM в битах.

В случае зарегистрированных модулей DIMM «× 4» ширина данных на каждую сторону составляет 36 бит; поэтому контроллер памяти (для которого требуется 72 бита) должен обращаться к обеим сторонам одновременно, чтобы читать или записывать необходимые данные. В данном случае двусторонний модуль одноранговый. Для зарегистрированных модулей DIMM «× 8» каждая сторона имеет ширину 72 бита, поэтому контроллер памяти адресует только одну сторону за один раз (двусторонний модуль имеет двойной рейтинг).

Приведенный выше пример применим к памяти ECC, которая хранит 72 бита вместо более обычных 64. Также будет один дополнительный чип на группу из восьми, что не учитывается.

Скорости

Для различных технологий существуют определенные стандартизированные тактовые частоты шины и устройства; существует также определенная номенклатура для каждой из этих скоростей для каждого типа.

Модули DIMM на базе DRAM с одной скоростью передачи данных (SDR) имеют одинаковую частоту шины для линий данных, адреса и управления. Модули DIMM на основе DRAM с удвоенной скоростью передачи данных (DDR) содержат данные, но не стробоскопы с удвоенной частотой тактовой частоты; это достигается синхронизацией как по переднему, так и по заднему фронту стробов данных. Потребляемая мощность и напряжение постепенно снижались с каждым поколением модулей DIMM на базе DDR.

Другое влияние — задержка строба доступа к столбцу (CAS), или CL, которая влияет на скорость доступа к памяти. Это время задержки между командой READ и моментом доступности данных. См. Основную статью CAS / CL

SDR SDRAM DIMM

Чип	Модуль	Эффективная частота	Скорость передачи	Напряжение
SDR -66	ПК-66	66 МГц	66 МТ / с	3,3 В
SDR-100	ПК -100	100 МГц	100 МТ / с	3,3 В
SDR-133	PC-133	133 МГц	133 МТ / с	3,3 В

DDR SDRAM (DDR1) DIMM

Чип	Модуль	Тактовая частота памяти	Тактовая частота шины ввода / вывода	Скорость передачи	Напряжение
DDR-200	PC-1600	100 МГц	100 МГц	200 MT / с	2,5 В
DDR-266	PC-2100	133 МГц	133 МГц	266 МТ / с	2,5 В
DDR-333	PC-2700	166 МГц	166 МГц	333 МТ / с	2,5 В
DDR-400	PC-3200	200 МГц	200 МГц	400 МТ / с	2,5 В

DDR2 SDRAM DIMM

Chip	Модуль	Тактовая частота памяти	Тактовая частота шины ввода / вывода	Скорость передачи	Напряжение
DDR2-400	PC2-3200	200 МГц	200 МГц	400 МТ / с	1,8 В
DDR2-533	PC2-4200	266 МГц	266 МГц	533 МТ / с	1,8 В
DDR2-667	PC2-5300	333 МГц	333 МГц	667 МТ / с	1,8 В
DDR2-800	PC2-6400	400 МГц	400 МГц	800 МТ / с	1,8 В
DDR2-1066	PC2-8500	533 МГц	533 МГц	1066 МТ / с	1,8 В

DDR3 SDRAM DIMM

Чип	Модуль	Тактовая частота памяти	Тактовая частота шины ввода / вывода	Скорость передачи	Напряжение
DDR3-800	PC3-6400	400 МГц	400 МГц	800 МТ / с	1,5 В
DDR3-1066	PC3-8500	533 МГц	533 МГц	1066 МТ / с	1,5 В
DDR3-1333	PC3-10600	667 МГц	667 МГц	1333 МТ / с	1,5 В
DDR3-1600	PC3-12800	800 МГц	800 МГц	1600 MT / с	1,5 В
DDR3-1866	PC3-14900	933 МГц	933 МГц	1866 MT /s	1,5 В
DDR3-2133	PC3-17000	1066 МГц	1066 МГц	2133 MT / s	1,5 В
DDR3-2400	PC3 -19200	1200 МГц	1200 МГц	2400 МТ / с	1,5 В

DDR4 SDRAM DIMM

Чип	Модуль	Тактовая частота памяти	Тактовая частота шины ввода-вывода	Скорость передачи	Напряжение
DDR4-1600	PC4-12800	800 МГц	800 МГц	1600 МТ / с	1,2 В
DDR4-1866	PC4-14900	933 МГц	933 МГц	1866 МТ / с	1,2 В
DDR4-2133	PC4-17000	1066 МГц	1066 МГц	2133 МТ / с	1,2 В
DDR4-2400	PC4-19200	1200 МГц	1200 МГц	2400 МТ / с	1,2 В
DDR4-2666	PC4-21300	1333 МГц	1333 МГц	2666 МТ / с	1,2 В
DDR4-3200	PC4-25600	1600 МГц	1600 МГц	3200 МТ / с	1,2 В

Форм-факторы

В модулях DIMM обычно используются несколько форм-факторов. Модули DIMM с синхронной памятью DRAM с единой скоростью передачи данных (SDR SDRAM) в главном производились высотой 1,5 дюйма (38 мм) и 1,7 дюйма (43 мм). Когда начали набирать популярность стоечные серверы 1U, модули DIMM с зарегистрированным форм-фактором должны были подключаться к угловым гнездам DIMM, чтобы поместиться в корпус высотой 1,75 дюйма (44 мм). Чтобы решить эту проблему, были созданы следующие стандарты модулей DDR DIMM с «низкопрофильной» (LP) высотой около 1,2 дюйма (30 мм).

Они вставляются в вертикальные гнезда DIMM для платформы 1U.

С появлением блейд-серверов угловые слоты снова стали обычным явлением для размещения модулей DIMM форм-фактора LP в этих коробках с ограниченным пространством. Это привело к разработке модулей DIMM с форм-фактором очень низкого профиля (VLP) высотой около 0,72 дюйма (18 мм). По стандарту DDR3 JEDEC высота модулей VLP DIMM составляет около 0,740 дюйма (18,8 мм). Они подходят по вертикали в системах ATCA.

Полноразмерные 240-контактные модули DIMM DDR2 и DDR3 имеют высоту около 1,18 дюйма (30 мм) по стандартам, установленным JEDEC. Эти форм-факторы включают 240-контактные модули DIMM, SODIMM, Mini-DIMM и Micro-DIMM.

288-контактные модули DIMM DDR4 полной высоты немного выше, чем их аналоги DDR3, и составляют 1,23 дюйма (31 мм). Точно так же модули DIMM VLP DDR4 также немного выше, чем их эквивалент DDR3, и составляют почти 0,74 дюйма (19 мм).

По состоянию на второй квартал 2017 года у Asus был модуль DIMM на основе PCI-E. 2 «, который имеет разъем, аналогичный DIMM DDR3, и используется для установки модуля для подключения до двух твердотельных накопителей M.2 NVMe. Все же, он не может использовать ОЗУ обычного типа DDR и не имеет большой поддержки, кроме Asus.

См. Также

Портал электроники

Двухрядный корпус (DIP)
Память скремблирование
Геометрия памяти — логическая конфигурация модулей ОЗУ (каналы, ранги, банки и т. д.)
Материнская плата
NVDIMM — энергонезависимый DIMM
Рядовой молот
Rambus встроенный модуль памяти (RIMM)
одинарный встроенный модуль памяти (SIMM)
одинарный встроенный модуль (SIP)
зигзагообразный встроенный модуль (ZIP)

Ссылки

Внешние ссылки

На Wikimedia Commons есть носители, связанные с DIMM .

Руководства по установке памяти ПК
Очень низкий профиль ( VLP) DDR2 Whitepaper (PDF)

Registered DIMM SDRAM

Чтобы определить тему этой статьи, хочу сказать, что она для тех из вас, кто хочет иметь 1 Гбайт и поболее оперативки, также для тех кто хочет получить больше fps в Q2, Sin,… , ну и просто для передовых юзеров. Вобщем для всех.

Я думаю, что все посетители нашего сайта знают, что модули оперативки обычного компьютера вставлена в разьёмы SIMM или DIMM. Есть также ещё пока мало распространённые RIMM ( подробней см. статью о Rambus), ну а про RDIMM совсем мало, что слышно.

Для начала хочу сказать, что разработчиком памяти стандарта RDIMM являются IBM и Intel. Модули памяти для RDIMM SDRAM поддерживаются чипсетом BX, соответсвуют спецификации PC-100 и являются усовершенствованными, а точнее Регистровыми (Registered) DIMM SDRAM . Основное отличие RDIMM от обычных DIMM SDRAM заключается в пропускной способности (bandwith): 800 и 1600 Мбайт/сек (последняя цифра мне особенно нравится, потому что первой уже наступают на пятки мощные 3D-приложения) и называются соответсвенно SDR (Single Data Rate) и DDR (Dual Data Rate) RDIMM SDRAM. Не путать DDR SDRAM с DR DRAM (отличается работой на чаcтототе до 800 MHz, выйдет во 2 квартале и будет дороже за счёт обязательного лицензирования).

Итак, IBM анонсировала модули такой памяти обьёмом 256 Мбайт, сделанной по технологии 0.20 мкм и имеющие плотность чипов в 4 раза больше, чем у обычных, что сделало возможным создание буферизированного 256 Мбайтного модуля памяти. Кстати, по заявлению той же IBM нет никаких преград для увеличения плотности записи в 8 раз выше обычной, а значит, есть теоритическая возможность создания буферизированных 512 Мбайтных модулей.

Теперь рассмотрим архитектуру DDR RDIMM SDRAM на примере 64 Мбайтных модулей. Для осуществления эффективного ввода/вывода данных устанавливаются конденсаторы (рядом с каждым чипом). Эти конденсаторы сделаны из новейших диэллектрических материалов. Что касается сроков запуска таких SDRAM в серию, то по заявлению IBM в последнее время на сайтах многих производителей появится информация об этом. Сама же IBM уже применяет модули RDIMM 64-256 Мбайт, также небуферизированные модули обьемом 512 Мбайт в своих Hi-End системах серии Netfiniti.

Ниже на рисунке 256-мегабайтноый модуль DDR SDRAM.

SDR RDIMM	DDR RDIMM
Время прерывания (циклов) (Burst length )	2, 4, 8	2, 4, 8
Тип прерывания (Burst type)	последовательное чередование (sequential interleave)	последовательное чередование (sequential interleave)
Число тактов для работы с памятью (CAS latency)	2, 3, 4	2, 2.5, 3
Режим работы	Нормальный, Режим записи (single write), Режим тестирования (test mode)	Нормальный, Режим сброса операций DLL, Режим тестирования (test mode), Режим расширенного регистрирования (Extended register mode set), Включение/выключение операций DLL

Работа на частоте 125, 133 и 143 MHz за 2, 2,5 и 3 такта (CAS latency = 3), зависимо от разновидности модулей
Однотактовое формирование сигнала RAS (Signal-pulsed RAS interface)
Встроенный блок DLL (Delay Locked Loop), который синхронизирует вывод информации с частотой ее ввода
Возможность отключения блока DLL через функцию расширенного режима регистрирования (например для экономии питания)
Удвоенная скорость обмена данных (DDR)
Двунаправленный поток данных
Полная синхронизация
Программируемый тип и длина прерываний
Прерывание операций чтения (специальной командой прерывания) и записи. Смена операций осуществляется последовательно
Четыре банка (Bank) памяти
Способность работы при пониженном потреблении питания
Операции чтения и записи выполняются за 4 и 8 циклов (соответственно), операция контроля затрачивает удвоенное количество циклов на соответствующую операцию
Произвольный доступ к столбцам (в памяти)
Ждущий режим и режим пониженного питания
4096/8192 циклов обновления для 64 и 256 МБ модулей
Автоматические, контролируемые команды дозарядки (Automatic and controlled precharge command). Энергия, подаваемая на модуль памяти может быть неодинаковой.
Вольтаж: 3,3В

Данный набор характеристик не является окончательным перечнем характеристик DDR SDRAM для RDIMM, а потому может быть модифицирован в будущих стандартных DDR SDRAM, однако благодаря таким нововведения получаем: проускная способность на пин составляет 200 Мбайт (200Мбайт/пин).

Что касается появлнения такой памяти у нас на рынке, то пока известно только то что оптимизация такой оперативки под BX-платы закончилась, в последнее время другие производители предоставят информацию о такой памти на своих сайтах. Да если вам интересно то можете сами помотреть новости, а если к тому же кредитная карта с круглой суммой, то можете себе купить пару, тройку а лучше сразу четверку модулей RDIMM SDRAM (еще пока без DDR или SDR операций) прямо в online. Что касается рядового пользователя, обладателя материнки на BX, то покупка SDR или DDR SDRAM будет правильным решением в дальнейшем году и не заставит вас делать апгрейд до K7 «в спешном порядке».

Dimm слот что это

Содержание