Содержание
- 1gb ddr 400
- Характеристики оперативной памяти Hynix DDR 400 DIMM 1Gb
- Дополнительные характеристики
- Módulo de Memória RAM DDR 400 Kingston 1GB = Failed
- Системный блок Athlon XP 2700+ / Asus A7N8X Deluxe / 1Gb ddr400 / FX 5600 128Gb / 400W /
- Какое поколение памяти DDR обозначает маркировка DDR400?
- DDR-400 что это?
DIMM (Dual In-line Memory Module, обоесторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на замену SIMM (Single In-line Memory Module, однобокий модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.
1gb ddr 400
С выходом двухканальных чипсетов Intel и NForce 2 негласным стандартом для высокопроизводительных систем стал объем оперативки в 1 Гб. Точнее говоря, каждый претендующий на звание «энтузиаста» или «заслуженного оверклокера» был должен устанавливать в системе два модуля DIMM по 512 Мб. Эту тенденцию быстро подхватили производители оверклокерской памяти, и теперь можно встретить наборы двухканальной памяти DDR 400 (и поболее высоких номиналов), состоящие из пары 512 Мб модулей.
Чипсеты i875P и i865PE официально поддерживают до 4 Гб оперативки, но в четыре имеющихся слота DIMM до недавнего времени можно было установить максимум 2 Гб памяти (4 х 512 Мб), потому что максимальный объем одного модуля DDR 400 был ограничен 512 Мб. Разумеется, предельный объем в 4 Гб мог бы понадобиться только самым амбициозным энтузиастам, однако владельцы рабочих станций на базе чипсета i875P тоже не отказались бы от возможности установить все 4 Гб памяти, ибо в некоторых областях применения (типа компьютерной графики) оперативки никогда не бывает много :).
реклама
Судя по всему, для вышеперечисленных категорий пользователей наступает благодатная пора. В японской рознице появились модули DDR 400 объемом 1 Гб. А именно, подобную память производит Samsung:
Чипы в упаковке TSOP-II объемом по 64 Мб расположены с обеих сторон модуля (итого 16 штук). Показатель CL для данного типа памяти равен 3.0, что не очень типично для более быстрых модулей DDR 400 объемом 512 Мб, но для такого «увесистого» модуля вполне нормально.
Маркировка дает понять, что чипы способны работать на частоте DDR 400 с таймингами 3-3-3 (CL-tRCD-tRP), что достаточно неплохо в сравнении с более медленными чипами этой серии (3-4-4). Один такой модуль DDR 400 емкостью 1 Гб стоит в Японии порядка $470, в то время как за пару 512 Мб модулей нужно отдать лишь чуть больше $200. Другими словами, любителям емких двухсторонних модулей придется раскошелиться.
Память аналогичного объема на чипах Micron тоже продается в Японии, но по цене $570. Пока объемы производства 1 Гб модулей DDR 400 не станут по-настоящему массовыми, их стоимость наверняка не снизится.
Теперь обратимся к результатам июльского исследования на тему поиска предпочтительной конфигурации памяти для двухканальных чипсетов Intel. Тогда было установлено, что в синхронном режиме (DDR 400, 1:1) наилучшую производительность демонстрируют два двухсторонних модуля или четыре двухсторонних модуля. Таким макаром, при синхронном разгоне или работе без разгона предпочтительнее использовать пару или четверку двусторонних модулей DDR 400. Стало быть, желающие обеспечить свою систему всеми 4 Гб оперативки от приобретения описанных сегодня модулей выиграют (в плане производительности, а не цены :)).
Характеристики оперативной памяти Hynix DDR 400 DIMM 1Gb
DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативки, пришедший на замену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.
На сегодня самым распространенным типом оперативки для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.
На замену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 вдвое выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.
DDR — самый первый вид оперативки с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.
DDR2 — следующее поколение оперативки типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.
Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.
DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.
Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.
Форм-фактор
DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на замену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.
SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).
FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативка. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.
LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативка, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.
RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.
Количество модулей памяти
Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.
Размер одного модуля памяти, Мб
Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.
Тактовая частота, МГц
Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.
Дополнительные характеристики
Пропускная способность, Гб/с
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.
Поддержка ECC
Módulo de Memória RAM DDR 400 Kingston 1GB = Failed
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, обычно, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.
Буферизованная (Регистровая) память
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, обычно, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.
Низкопрофильная
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.
Количество контактов
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.
Число чипов на один модуль памяти
Количество чипов (микросхем), созданных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.
Напряжение, В
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.
Наличие радиатора
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативки. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).
CAS Latency (CL), тактов
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативки. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).
Упаковка чипов
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.
tRCD, тактов
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативка.
tRP, тактов
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Системный блок Athlon XP 2700+ / Asus A7N8X Deluxe / 1Gb ddr400 / FX 5600 128Gb / 400W /
tRAS, тактов
tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Количество ранков
Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в главном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.
Совместимость
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.
Какое поколение памяти DDR обозначает маркировка DDR400?
Тот, кто хоть немного разбирается в компьютерных комплектующих, знает о том, что оперативка бывает нескольких типов (поколений): DDR, DDR2, DDR3, DDR4. Практически всегда на модуле памяти присутствует наклейка с маркировкой, по которой можно определить тип ОЗУ, ее частоту и объем. PC2 – означает память DDR2, PC3 – DDR3, PC4 – DDR4. А вот что означает DDR400?
Об этом мы и поговорим в данной статье.
DDR-400 что это?
Если вам попался модуль памяти с данной маркировкой, то с уверенностью можно сказать что это DDR первого поколения, тот, который был перед DDR2.
Цифра 400 в названии показывает рабочую частоту планки памяти в мегагерцах. Довольно часто на таких модулях можно встретить маркировку PC-3200. Это говорит о том, что его пропускная способность составляет 3200 мегабайт за секунду.
Присутствие маркировки PC-3200
Зависимо от рабочей частоты и пропускной способности выделяют следующие типы оперативки DDR первого поколения:
| PC-1600 | DDR-200 |
| PC-2100 | DDR-266 |
| PC-2400 | DDR-300 |
| PC-2700 | DDR-333 |
| PC-3200 | DDR-400 |
| PC-3500 | DDR-433 |
| PC-3700 | DDR-466 |
| PC-4000 | DDR-500 |
| PC-4200 | DDR-533 |
| PC-5600 | DDR-700 |
Все это оперативка DDR первого поколения. Она не совместима с другими типами ОЗУ (DDR2, DDR3, DDR4), потому что расположение ключа у них всех разное. Такой модуль физически не войдет в разъем на материнской плате, кроме плат с поддержкой DDR первого поколения.
Разница в расположении ключа на разных поколениях ОЗУ DDR
По состоянию на 2019 год DDR400, как и все поколение DDR1, официально можно считать мертвым. Такая память, так же как и материнские платы с ее поддержкой, давным давно сняты с производства. Она может представлять ценность только для очень старых компьютеров, доживших до наших дней.
Лучшая благодарность автору — репост к себе на страничку:
Похожие статьи
-
Отдельный модуль для проверки стабильности системы в целом содержит и AIDA64 – программка для анализа и слежения за состоянием оборудования и системы. В…
-
Это не необычно, потому что многие компьютерные стандарты развиваются с течением времени. Но вы можете задаться вопросом, откуда появились DDR2 и DDR3 и…
-
Главное отличие DDR2 от DIMM в том, что DDR2 — это технологический тип модулей оперативки, а DIMM — форм-фактор. При всем этом DDR2 в современных…