Ddr3 1333 1066 800 мгц

Содержание

Изучаем параметры DDR3
Влияние частоты оперативной памяти на производительность в играх (часть 1)
DDR3 1333 и DDR3 1600 ставим на ноут две разные планки
Типы оперативной памяти: DDR3 SDRAM
FAQ по DDR3
- Validated DDR3 800/1066MHz SDRAM Components
- Похожие статьи

Ddr3 1333 1066 800 мгц для настольных ПК будут

Будет ли DDR3 резвее чем DDR2, в чём плюсы и минусы этих типов памяти? Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна существенно превысить способности сегодняшнего поколения памяти DDR2 – хотя бы так как на теоретическом уровне действенные частоты DDR3 будут размещаться в спектре 800 МГц – 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц – 800 МГц). В то время как у DDR2 действенные рабочие частоты составляют 400 МГц — 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц — 533 МГц), а у DDR – и совсем 200 МГц — 600 МГц (100 МГц — 300 МГц). Кроме этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером подготовительной подборки, в то время как у сегодняшней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и совсем был 2-битный. Буфер подготовительной подборки (prefetch buffer), нужно отметить, довольно принципиальный элемент современных модулей памяти, так как он отвечает за кэширование данных перед тем, как они будут нужны.

Таким макаром, подготовительная 8-битная подборка DDR3 позволяет гласить о работе I/O шин модуля на тактовой частоте, в 8 превосходящей тактовую частоту.

Изучаем параметры DDR3

Рассмотрение спектра таймингов, напряжений, частот, также различий от прошлых типов – вот что является темой данной статьи.

DDR3
Эталон Double Data Rate 3 является логическим продолжением цепочки SDR-DDR-DDR2. Как многие знают, отличие DDR от SDR состояло в том, что передача данных по интерфейсу происходила на обоих фронтах опорной частоты, а не по положительному фронту, как у SDR. Таким макаром, за один такт передавалось в два раза больше инфы. Чтоб информацию с в два раза большей скоростью передать контроллеру, она должна и поступать их чипов в два раза резвее. Это реализовано при помощи удвоения внутренней ширины модуля памяти. При всем этом за одну команду чтения мы получаем сходу n единиц данных.

Такая архитектура была названа n-prefetch. Общая формула расчёта – 2^n pref.

7 мая 2007, пн 04:23
Antinomy [ ] для раздела Блоги
3070 Gigabyte Gaming за 50 тр с началом
Много 4080 от 100тр — цены в рублях не вырастают
3080 за 70 тр — цены снова пошли вниз
3060 дешевле 30тр цена — как при курсе 68

4070 Ti Gigabyte Gaming дешевле любой другой
За пост начислено вознаграждение

Рассмотрение диапазона таймингов, напряжений, частот, также отличий от предыдущих типов – вот что является темой данной статьи.

DDR3
Стандарт Double Data Rate 3 является логическим продолжением цепочки SDR-DDR-DDR2. Как многие знают, отличие DDR от SDR состояло в том, что передача данных по интерфейсу происходила на обоих фронтах опорной частоты, а не по положительному фронту, как у SDR. Таким макаром, за один такт передавалось вдвое больше информации. Чтобы информацию с вдвое большей скоростью передать контроллеру, она должна и поступать их чипов вдвое быстрее. Это реализовано при помощи удвоения внутренней ширины модуля памяти. При всем этом за одну команду чтения мы получаем сразу n единиц данных.

Такая архитектура была названа n-prefetch. Общая формула расчёта – 2^n prefetch, где n – поколение устройства памяти. У DDR1 одной командой передаётся 2 единицы данных, у DDR2 – 4, соответственно у DDR3 – 8. При всем этом минимальное значение Burst Length (параметра, определяющего длину считываемого за один раз пакета данных) соответственно равно 2, 4 и 8.

Понятно, что с переходом на новое поколение количество данных, передаваемых интерфейсом за такт, не меняется, иначе менялось бы название (QDR, ODR). Меняется только ширина внутренней шины модуля. Таким макаром, в модуле DDR 400 опорная частота составляет 200МГц (DDR), частота чипов 200МГц (2n-prefetch). В модулях DDR2-800 опорная частота равна 400МГц (DDR), внутренняя частота чипов – 200МГц (4n-prefetch).

В модуле DDR3-800 опорная частота равна 400МГц, а частота чипов – 100МГц (8n-prefetch).

Отсюда становится понятно, почему всё время растут тайминги памяти. Если чипам нужно 10нс для тайминга CL (это CL=2 на DDR400), то в модуле DDR2-800 этот тайминг будет равняться 4, при той же частоте чипов, т.к. абсолютное значение времени не изменилось (10нс), а относительное (из-за уменьшения вдвое длительности одного такта) увеличилось вдвое. Для DDR3-1600 этот тайминг уже будет составлять 8 тактов. Хочется добавить по поводу таймингов при одинаковой частоте интерфейса – DDR2-800 и DDR3-800, например.

Тайминги у них равны, а вся разница вытекает из обкатанности одного процесса к моменту выпуска другого поколения, другими словами из-за сравнения необкатанной новой технологии и обкатанной старой.

От слов к делу.
Основные нововведения:

Частоты 800/1066/1333/1600МГц
Напряжение питания 1.5В
Дифференциальный фронт сигнала
Burst Length 4(Burst terminate), 8
Динамическая терминация сигнала на чипе (Dynamic ODT)
Поддержка программируемого CAS Latency в (4), 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 тактов
Поддержка программируемого Additive Latency в режимах 0, CL-1, CL-2.
Программируемый CAS Write Latency (CWL) в 5, 6, 7, 8 тактов
Переключение BL на лету
8 логических банков
Наличие встроенного термодатчика (является нововведением для десктопной платформы, но уже было реализовано в FB-DIMM).
Выбор мощности сигналов при помощи EMRS
Поддержка Auto Self Refresh
8 бит предвыборка

Сейчас представлены чипы двух плотностей – 512Mbit и 1Gbit.

Разными производителями выпущены модули от 256MB до 2GB. В скором времени планируется наладить выпуск 16ГБ модулей, сначала для серверного рынка.

Количество банков составляет 8, что означает использование тайминга tFAW на всех модулях. Напряжение по спецификации составляет 1,5В. Модули, созданные для разгона или разогнанные производителем, будут работать традиционно при большем напряжении. Согласно даташиту Hynix DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 1Gb Z ver., максимальное допустимое напряжение составляет 1.975В, другими словами модули будут работать при напряжениях до 2,0В. Оверклокеры-экстремалы будут использовать и большие значения, но очень маловероятно, что для постоянного использования напряжение будет превышать 2,1В. Об этом можно судить как по процентному соотношению напряжения при разгоне DDR2, так и вольтмодам GDDR3.

Частоты этого типа памяти, как я писал ранее будут начинаться с 800МГц и дойдут до 1600МГц. Отсюда, кстати, можно сделать интересное наблюдение – частота чипов не меняется со временем. У DDR внутренняя частота была в диапазоне 100-200МГц (DDR200-DDR400), у DDR2 – то же самое, начиналось со 100 и заканчивалось 200МГц (DDR2-400 – DDR2-800). Стандарт DDR3 продолжает эту тенденцию со своим диапазоном частот DDR3-800 – DDR3-1600 (реальная внутренняя те же 100-200МГц). Стало быть, DDR4, наиболее вероятно, будет работать на частотах интерфейса от DDR4-1600 до DDR4-3200.

Это ниже, чем рамки частот GDDR. Связано это с более жесткими ограничениями на подаваемую чипам мощность и требованиями к охлаждению и таймингам. Исследование вопроса диапазона частот GDDR разных версий и DDR во внештатном режиме может быть исследовано позднее.

Наличие термодатчика позволит обычным пользователям узнать условия работы модулей памяти. Эта функция перекочевала из серверного рынка, где крайне важна стабильность системы и проработан детальный механизм троттлинга (замедления) чипа при превышении допустимой температуры. Также меняются такие характеристики как обновление памяти и другое, направленное на повышение стабильности горячего модуля и его охлаждение. Но в декстопной платформе маловероятно, что обычный пользователь станет интересоваться такого рода информацией.

Другое дело — оверклокер, который разгоняет с повышение напряжения до 30% и выше, ставит водяное охлаждение или обкладывает их сухим льдом. Для проверки эффективности охлаждения и послужит этот механизм при нормальной его реализации (другими словами с возможностью удобного считывания такого рода данных). Практически наверняка интерфейсом передачи станет шина Smbus, по которой также передаётся информация SPD модулей.

Теперь об одном из важнейших параметров нового типа памяти – таймингах. Все принятые стандартом схемы таймингов сведены в таблицу. Соответствие режимов CL-X и CWL-X с частотами дано для установления обратной совместимости различных модулей.

Влияние частоты оперативной памяти на производительность в играх (часть 1)

Назначение и описание всех таймингов можно найти в моей статье «Что такое тайминги?»

Отсюда видно, что уже расписаны параметры для будущих 8Гб чипов. Также факт, что подтайминги вроде WR, WTR и другие не поменялись относительно DDR2. Разница лишь в основных таймингах. Именно они и будут определять расстановку сил DDR3 vs DDR2 и привлекательность новинки.

Модули уже начали появляться в продаже, но нормальных обзоров с изменением таймингов и разгоном проведено не было.

Использованная литература:
1. JEDEC STANDARD DDR2 SDRAM SPECIFICATION JESD79-2C
2. Samsung DDR3 SDRAM Specification revision 0.1
3. Samsung 512Mb E-die DDR3 SDRAM Specification
4. Hynix DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 1Gb Z ver.

DDR3 1333 и DDR3 1600 ставим на ноут две разные планки

Обсуждение статьи идёт на конференции Overclockers.ru.

Типы оперативной памяти: DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, тип 3) — это тип оперативки используемой в компьютерах, разработанный как последователь DDR2 SDRAM .

DDR3 обещает сокращение потребления энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2 , благодаря применению 90-нм (в дальнейшем 65-нм и 50-нм) технологии производства, что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR ). «Dual-gate» транзисторы будут использоваться для сокращения утечки тока.

Чипы и модули

Стандартное название	Частота памяти	Время цикла	Частота шины	Передач данных за секунду	Название модуля	Пиковая скорость передачи данных
DDR3-800	100 МГц	10.00 нс	400 МГц	800 млн	PC3-6400	6400 МБ/с
DDR3-1066	133 МГц	7.50 нс	533 МГц	1066 млн	PC3-8500	8533 МБ/с
DDR3-1333	166 МГц	6.00 нс	667 МГц	1333 млн	PC3-10600	10667 МБ/с
DDR3-1600	200 МГц	5.00 нс	800 МГц	1600 млн	PC3-12800	12800 МБ/с
DDR3-1800	225 МГц	4.44 нс	900 МГц	1800 млн	PC3-14400	14400 МБ/с
DDR3-2000	250 МГц	4.00 нс	1000 МГц	2000 млн	PC3-16000	16000 МБ/с
DDR3-2133	266 МГц	3.75 нс	1066 МГц	2133 млн	PC3-17000	17066 МБ/с
DDR3-2400	300 МГц	3.33 нс	1200 МГц	2400 млн	PC3-19200	19200 МБ/с

Возможности DDR3 SDRAM компонентов:

Появление контакта асинхронного сброса
Support of system level flight time compensation
Встроенная калибровка портов ввода/вывода
Калибровка READ и WRITE DDR3 модулей:
Определение адресов и команд непосредственно в контроллере модуля (fly-by)
Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества по сравнению с DDR2:

Более высокая полоса пропускания (до 2400 МГц)
Увеличенная эффективность при малом энергопотреблении (более длительное время работы батарей в ноутбуках)
Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению

Недостатки по сравнению с DDR2:

Обычно более высокая CAS-латентность , но компенсируемая высокой полосой пропускания, таким макаром увеличивающаяся полная производительность в определённых приложениях

Дата публикации: 14 Августа 2011

FAQ по DDR3

Ответы на все важные вопросы, возникающие в связи с грядущим началом использования памяти стандарта DDR3 в настольных ПК. И не только лишь.

Что за стандарт такой — DDR3? Память Synchronous Dynamic Random Access Memory, третье поколение стандарта Double Data Rate — попросту DDR3 SDRAM, представляет собой новое поколение памяти DDR, идущей на замену нынешнего поколения DDR2 SDRAM. Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, мы можем говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). При сохранении основного строения архитектуры, ключевым изменениям подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O.

Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, при помощи двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, вчетверо превышающей тактовую частоту.

Среди основных преимуществ нового стандарта, сначала, необходимо отметить меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у ходовых образцов модулей DDR2. Основной причиной экономии энергопотребления называют использование последнего поколения чипов памяти DDR3, выпуск которых налажен у большинства производителей с соблюдением норм 90 нм техпроцесса. Это позволяет снизить рабочие напряжения чипов – до 1,5 В у DDR3, что ниже 1,8 В у DDR2 или 2,5 В у DDR; плюс, дополнительно снизить рабочие токи за счёт использования транзисторов с двумя затворами для снижения токов утечки. На практике это приведёт к тому, что, например, у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667.

Появление контакта асинхронного сброса (RESET)
Поддержка компенсации System Level Flight Time
«Зеркальная» цоколёвка чипов с удобным расположением контактов для сборки модуля DIMM (On-DIMM Mirror friendly DRAM ballout)
Появление скоростного буфера CWL (CAS Write Latency)
Внутрикристальный модуль калибровки I/O
Калибровка READ и WRITE
Типичные (ожидаемые) маркировки чипов зависимо от скорости: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600

«Сетевая» Fly-by топология командной/адресной/управляющей шины с внутримодульной (On-DIMM) терминацией
Прецизионные внешние резисторы (ZQ resistors) в цепях калибровки

Будет ли DDR3 быстрее чем DDR2, в чём плюсы и минусы этих типов памяти? Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 – хотя бы так как теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц – 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц – 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц — 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц — 533 МГц), а у DDR – и вовсе 200 МГц — 600 МГц (100 МГц — 300 МГц). Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный.

Буфер предварительной выборки (prefetch buffer), надо отметить, достаточно важный элемент современных модулей памяти, поскольку он отвечает за кэширование данных перед тем, как они будут востребованы. Таким макаром, предварительная 8-битная выборка DDR3 позволяет говорить о работе I/O шин модуля на тактовой частоте, в 8 превышающей тактовую частоту.

Второй причиной роста производительности DDR3 можно смело назвать новую схемотехнику динамической внутрикристальной терминации (Dynamic On-Die Termination), калибровка которой производится в процессе инициализации для достижения оптимального взаимодействия памяти и системы. Наконец, в отличие от DDR2, где терминация применялась только частично, память DDR3 обладает полной терминацией, включая адреса и команды. Преимуществами DDR3 по сравнению с DDR2 можно назвать более высокие тактовые частоты – до 1600 МГц, рост производительности при меньшем энергопотреблении (соответственно, более продолжительную работу ноутбуков от батарей), также улучшенный термодизайн. Минусом DDR3 против DDR2 можно назвать более высокую латентность.

Кто разрабатывает, продвигает и намерен поддерживать память стандарта DDR3? В разработке и утверждении стандарта DDR3 учавствовали все ведущие компании IT-индустрии, входящие в стандартообразующий комитет по DDR3 при комиссии JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council). Сейчас в работе секции по DDR3 учавствуют более 270 компаний, среди которых можно назвать Intel, AMD, Samsung, Qimonda, Micron, Corsair, OCZ и другие. Почему эффективный «срок рыночной жизни» памяти DDR2 оказался столь коротким – по сравнению с DDR, и не ждёт ли такая же скоротечная судьба память DDR3? По сути надо помнить, что на заре развития технологии DDR, как говорится, «единства в товарищах» среди производителей процессоров и чипсетов не было.

Ветераны IT-рынка запросто припомнят бушевавшие в то время «войны стандартов», львиную долю «благодарностей» за которые справедливо заслужила компания Rambus и её RDRAM. Из-за этого, неплохая изначально память DDR достаточно долгое время топталась на месте и за более чем пять лет её тактовая частота выросла всего лишь до 500 МГц, а DDR2 успела проделать путь с DDR2-533 до DDR2-1066 всего лишь за какие-то три года – что, кстати, типичный срок жизни для архитектуры памяти.

Увы, на нынешнем этапе архитектура DDR2 начинает фактически «упираться» в потолок своих возможностей, что завязано на тактовые частоты процессоров и топологию шин. Сейчас пока рано говорить о сроке жизни DDR3, однако не будет ничего невероятного, если через три года ей на замену придёт что-то вроде DDR4. Такова жизнь. Так каков же «потолок» тактовых частот модулей памяти DDR3 DIMM?

Пока речь идёт о чипах DDR3-1600, на базе которых будут выпускаться модули PC3-12800 с пропускной способностью до 12,80 Гб/с. Однако в документации Intel уже встречалось упоминание того, что DDR3 теоретически может быть масштабирована до частот прямо до 2133 МГц. Есть ли физическая разница между модулями DDR2 и DDR3? Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК будут обладать 240-контактной структурой, привычной нам по модулям DDR2; однако физической совместимости не будет благодаря различному расположению ключей DIMM.

Такая «защита от дурака», предотвращающая установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрена не только лишь из-за поконтактной несовместимости модулей, да и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативки.

Какие типы модулей DDR3 будут типичным явлением на рынке памяти? Ожидается, что модули памяти DDR3 будут выпускаться в вариантах Registered DIMM, Unbuffered DIMM, FB-DIMM, SO-DIMM, Micro-DIMM и 16-бит/32-бит SO-DIMM. Относительно форм-факторов памяти DDR3 – что критично для рынка серверов, можно сказать, что будут представлены 1,2-дюймовые (30 мм) модули для 1U серверов, типичные для индустрии с 1999 года, также VLP-модули высотой 18,3 мм для Blade-серверов, 38 мм модули для 2U серверов и даже более «высокие» модули.

Какова будет типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM? Ещё на стадии тестирования стандарта DDR3 производители работали с чипами ёмкостью 512 Мбит и создавали 1 Гб модули; теоретически ёмкость модулей DDR3 может достигать 8 Гбит. Типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM по мере роста популярности составит 1 Гб – 4 Гб, теоретически – до 32 Гб. Что касается модулей DDR3 SO-DIMM для мобильных ПК, появление образцов которых ожидается в последнее время, а начало массового производства (по крайней мере, компанией Samsung) запланировано на начало 2008 года, типичные ёмкости будут располагаться в диапазоне 512 Мб – 4 Гб.

Первые модули памяти DDR3 DIMM, безусловно, будут недешёвым явлением. Как скоро ожидается снижение цен на модули памяти DDR3 DIMM до нормального «массового» уровня? Ожидается, что уже в 2007 году производители модулей памяти возьмут агрессивный старт на рынке DDR3, и, по мере становления и нарастания массовости платформ последнего поколения, память будет дешеветь. По предварительным прогнозам Intel, память DDR3 получит определённое распространение уже в текущем году, а в 2008 году можно будет говорить об её массовости – по крайней мере, прогнозы iSuppli это подтверждают.

Стандарт DDR3 есть, скоро будут платы, а успеют ли производители с чипами DDR3 и модулями DIMM к анонсу? Безусловно. Индустрия в целом готова к появлению DDR3, множество производителей чипов и памяти уже объявили о валидации своих изделий у Intel и готовности к массовому производству.

Полную линейку чипов, прошедших процесс тестирования, квалификации и валидации у Intel можно посмотреть на этой странице:

Validated DDR3 800/1066MHz SDRAM Components

Производители модулей также объявили о полной готовности. Так, компания Corsair уже представила 1 Гб модули DDR3-1066 DHX с таймингами 6-6-6-24, а на перспективу в серии DOMINATOR уже в этом квартале готовится выпуск модулей DDR3-1333 и выше. Компания OCZ Technology на днях представила свои наборы модулей PC3-8500 (1066 МГц, CL 7-7-7-21) в серии Gold Series (с позолоченными радиаторами XTC), в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G10661GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G10662GK), также наборы модулей PC3-10666 (1333 МГц, CL 9-9-9-26) той же серии в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G13331GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G13332GK).

Какое количество слотов под модули DDR3 DIMM будет типичным для новых систем?

Первоначально идея использования ёмких 1 Гбит и 2 Гбит чипов преследовала цель уменьшить количество слотов на плате до двух без необходимости жертвовать количеством поддерживаемой памяти. Однако типичный покупатель всё же по-прежнему предпочитает апгрейдиться, осообенно пока память недёшева. Вот поэтому типичная материнская плата по-прежнему будет обладать четырьмя слотами DDR3 DIMM.

Когда поддержка DDR3 будет реализована компанией AMD?

Компания AMD, в числе других лидеров компьютерной индустрии, объявила о поддержке и планах перехода на память DDR3, однако лишь в отдалённой перспективе. Исследования в области поддержки DDR3 компания AMD ведёт в близком сотрудничестве с SimpleTech. Уже достоверно известно, что интегрированные контроллеры памяти процессоров AMD с рабочим названием Barcelona будут поддерживать модули DDR2-1066. Модули DDR2-1066 сейчас проходят процедуру стандартизации в организации JEDEC, и AMD планирует именно при помощи продления жизни DDR2 отсрочить переход на DDR3.

Вспомните, та же самая ситуация складывалась и при переходе на DDR2, тогда AMD также достаточно долго не могла распрощаться с DDR. Ожидается, что впервые память DDR3 будет поддерживаться процессорами AMD под разъём AM3, и показаны такие чипы будут не ранее третьего квартала 2008 года. Сейчас специалисты AMD называют переход на массовое использование памяти DDR3 в настольных системах преждевременным – мол, мы подождём 2009 года, когда этот тип памяти станет достаточно массовым и относительно недорогим. Хотя, уже есть информация, что тестирование и валидация чипов компанией AMD, начавшаяся в 2007 году, «встанет на крыло» уже в 2008 году.

Что ж, компании Intel вновь предложена роль «локомотива индустрии» в проталкивании новых стандартов. С другой стороны, нельзя не признать, что такое положение – за счёт предложения действительно ведущих технологий и производительных решений, регулярно помогает ей, что называется, «снимать сливки». Так что все-таки AMD? Увы, новое процессорное ядро с рабочим названием Griffin, появление которого можно ожидать сначала 2008 года, также будет обладать лишь встроенным контроллером памяти DDR2 — хоть и продвинутым, сдвоенным, с двумя независимыми режимами работы, но, все же, без малейшего намёка на поддержку DDR3. Поскольку производственный цикл процессоров AMD в целом худо-бедно укладывается в 18-месячный цикл, так, приблизительно, и получится, что чипы AMD обзаведутся поддержкой DDR3 не ранее 2009 года, а то и позже.

Какие чипсеты с поддержкой DDR3 от Intel можно ожидать в последнее время? Что и когда ожидается в рознице? Разумеется, в числе первых системных плат с поддержкой DDR3 стоит ожидать новинки на чипсетах последнего поколения Intel 3 Series — те что носили собирательное рабочее название Intel Bearlake. Эти чипсеты будут поддерживать новые процессоры Intel Core c FSB 1333 МГц и новую оперативку DDR3-1333.

Впрочем, сразу стоит оговориться, что не каждый чипсет из семи, ожидаемых в серии Bearlake — X38, P35, G35, G33, G31, Q35 и Q31, будет работать с DDR3 (равно как и с новыми FSB 1333 МГц процессорами) – традиционно, речь идёт лишь о чипсетах для High-end и Mainstream рынка.

Полная официальная информация о чипсетах серии Intel 3 Series Bearlake появится на нашем сайте достаточно скоро. Для статьи FAQ по DDR3 мы подготовили специальную «облегчённую» таблицу, с уточнением поддержки стандартов оперативки.