Ddr3 от ddr4

Содержание

Как узнать DDR3 или DDR4 на компьютере
Скорости DDR3 и DDR4
Как проверить тип ОЗУ
Выводы
Зачем переходить на DDR4?
- Увеличение объема и производительности
- Улучшенная энергоэффективность
DDR5 vs DDR4 vs DDR3 Ram | i9-12900K | RTX 3090 | 4K Gaming Leaked!
Прошивка оперативной памяти на программаторе. Чиним, разгоняем, даунвольтим, редачим XMP и Jedec.
- Надежность
DDR4 vs. DDR3
- Похожие статьи

В эталоне DDR4 усовершенствовали этот интерфейс, применив более эффективную схему − один модуль на один канал. Новый тип шины получил заглавие Point-to-Point Bus. Параллельный доступ к слотам совершенно точно лучше поочередного, поскольку в дальнейшем позволяет более эффективно наращивать быстродействие всей подсистемы. Может быть сейчас особого преимущества пользователи и не ощутят, однако в дальнейшем, когда возрастут объемы передаваемой информации, оно станет более показательным. Ведь именно по такой же схеме развивалась видеопамять GDDR и интерфейс PCI Express.

Только использование параллельного доступа позволило в значительной степени увеличить их производительность.

Как узнать DDR3 или DDR4 на компьютере

Об ОЗУ пользователи думают так — чем больше, тем лучше. В большинстве случаев это правда, чем больше в вашей системе памяти, тем лучше она будет работать, но при покупке оперативки нужно обратить внимание и на другие показатели.

У ОЗУ есть скорость передачи данных, которая тоже влияет на её эффективность. Память бывает двух видов: SDR и DDR. У памяти DDR (Double Data Rate или удвоенная скорость передачи данных ) есть два стандарта: DDR3 и DDR4. В этой статье мы разберемся как узнать ddr3 или ddr4 на компьютере.

Скорости DDR3 и DDR4

Память DDR3 с пособна выполнять до 2133 миллионов операций записи/чтения за секунду, у DDR4 производительность увеличилась до 3200 миллионов операций за секунду.

Скорость DDR измерятся так — сколько гигабайт или гигабит информации этот стандарт может перенести в секунду. DDR3 может работать с 14.9 Гб/с, а DDR4 с 2.6 ГБ/с. Сейчас нам нужны только скорости записи/чтения DDR3 и DDR4 .

Как проверить тип ОЗУ

Знаете скорость оперативки — легко определите её тип. Откройте Диспетчер задач нажав Ctrl+Shift+Esc и перейдите во вкладку Производительность. В списке слева выберите вкладку с оперативной памятью и посмотрите на правый верхний угол. Там написано, сколько и какая у вас ОЗУ.

На скриншоте ниже показана система с DDR3 памятью.

На рынке много разных производителей ОЗУ, поэтому DDR3 в вашем компьютере будет отличаться от других. Производительность находится в зависимости от определённых чипов внутри планки памяти. Чтобы проверить частоту ОЗУ, посмотрите под графой Память — вы увидите отдельное поле Speed.

Сменить DDR3 на DDR4 д райвером или увлечением количества памяти нельзя. Также как нельзя увеличить объём диска с 500 ГБ до 1 ТБ с помощью программы, это невозможно сделать и со частотой ОЗУ. Частота поддается незначительному разгону памяти, но сильно её вы не подымите.

Выводы

Теперь вы знаете как узнать какая память ddr3 или ddr4 используется на вашем компьютере. Большинству пользователей хватит DDR3 для подавляющего числа задач. DDR4 может понадобиться геймерам или тем, кто занимается 3 D моделированием и анимацией. Если нужно ускорить систему, то большее количество ОЗУ не всегда помогает. Лучше купить SSD.

Он может стоить столько же или меньше, чем новая оперативка и значительно ускорит вашу систему, в сравнении с HDD.

Зачем переходить на DDR4?

(источник)
Не так давно был опубликован стандарт на DDR4 SDRAM – оперативку последнего поколения. Стандарт во всех деталях описывает устройство памяти, но о том, в чём, собственно, отличия от памяти предыдущего поколения, или какие преимущества сулит переход на DDR4 сказано или совсем немного или не сказано вообще (вероятно, в надежде на фантазию читателей 🙂 ).
В этом посте я постараюсь изложить основные отличия DDR3 от DDR4, и какие преимущества несет для конечных пользователей новый стандарт памяти.

Увеличение объема и производительности

Одно тонкое, но в то же время важное отличие, состоит в том, как организованы чипы памяти.
8Gb x4 DDR4 чип обычно состоит из 4 групп банков, по 4 банка в каждой группе. Каждый банк такого чипа содержит 131.072 (2 17 ) строк (rows), по 512 байтов каждая. Для сравнения 8Gb x4 DDR3 чип содержит 8 независимых банков, 65.536 (2 16 ) строк на банк, по 2048 байтов в каждой строке. При равном объеме, у DDR4 чипа вдвое больше банков и гораздо короче строки памяти. Это означает, что новая память может переключаться между банками памяти гораздо быстрее, чем это делала DDR3.

А именно, для 8Gb x4 DDR4 чипов, заявленных как 1600 MT/s compatible, показатель tFAW(Four-bank Activation Window) равен 20ns, что вдвое меньше, чем у DDR3 (40ns). Это означает, что DDR4 чипы памяти могут открывать произвольные строки в разных банках вдвое быстрее, чем DDR3.

Сравнение DDR3 и DDR4 показывает, что наибольший модуль DDR3, который теоретически может быть сконструирован, будет иметь размер 128GB (используя QDP (quad die package – упаковка четырех чипов в один корпус) и 8Gb кристаллы) (рис. 1). Для DDR4, используя 16Gb кристаллы, и восьмислойную упаковку кристаллов в чип, теоретически можно создать модуль памяти объемом до 512GB. Количество контактов на модулях DDR4 увеличилось до 284, чтобы адресовать такой объем памяти. Каждый чип DDR4 памяти может представлять собой стек из 2, 4 или 8 кристаллов DRAM.

Стек из 8 слоёв описан в дополнениях к спецификации и вероятнее всего потребует использования TSV (through silicon via) для своей практической реализации.
В целом все эти изменения направлены на создание модулей памяти большей ёмкости и увеличение производительности.

Рисунок 1. Сравнение модулей DDR3 и DDR4 (источник)

Улучшенная энергоэффективность

Другая важная часть спецификации DDR4 – повышение энергоэффективности по сравнению с DDR3. Кроме снижения напряжения на I/O с 1.35V до 1.2V, новый стандарт также специфицирует использование более высокого уровня напряжения внутри чипов (DRAM word line 2.5V), что обеспечивает быстрый доступ в активном режиме и малый ток утечки в пассивном.

Изменилась и электрическая реализация интерфейса ввода-вывода данных. Новый интерфейс носит название pseudo-open drain (POD, «псевдо-открытый сток») и его основное отличие в том, что в схеме не протекает ток, когда на линии установлен высокий уровень напряжения. Электрические интерфейсы DDR3 и DDR4 показаны на рисунке 2.

DDR5 vs DDR4 vs DDR3 Ram | i9-12900K | RTX 3090 | 4K Gaming Leaked!

Рисунок 2. Электрические интерфейсы data I/O для DDR3 и DDR4. (источник)

Прошивка оперативной памяти на программаторе. Чиним, разгоняем, даунвольтим, редачим XMP и Jedec.

Уменьшение напряжение на I/O, изменения электрического интерфейса и уменьшение длины строк в банках памяти приводят к существенному сокращению энергопотребления по сравнению с DDR3. Предварительные оценки говорят о 30% выигрыше. Хотя, разумеется, это находится в зависимости от характера обращений к памяти, техпроцесса и многих других факторов. Такой выигрыш может использоваться для того, чтобы увеличить тактовую частоту и, соответственно, скорость работы, или для того, чтобы сэкономить немного энергии при той же производительности.

Надежность

Также, много немаловажных изменений относятся к надежности (RAS) DDR4. Например, спецификация говорит об обнаружении и коррекции чипами памяти ошибок, связанных с контролем четности команд и адресов.

Другой пример – то, что чипы DDR4 имеют режим тестирования соединений. Этот режим позволяет контроллеру памяти проверять электрические связи (и находить «обрыв» линий), гораздо быстрее, чем раньше, и без использования инициализирующих последовательностей.
Также модуль DDR4 может быть сконфигурирован так, чтобы отбрасывать команды, содержащие ошибки контроля четности. В DDR3 такие команды пропускались и доходили до чипов памяти, многократно усложняя восстановление после сбоев.
Как пример одной из необязательных «фич», которые содержит спецификация можно привести проверку контрольных сумм для записываемых в память данных.

Все эти и другие возможности направлены на то, чтобы обеспечить рост рабочих частот и объемов памяти (связанные с ростом количества ошибок в работе), при всем этом гарантируя стабильную работу.

С более высокой производительностью и энергоэффективностью, DDR4 память уже в 2014 году должна без усилий занять своё место в многоядерных серверных и настольных системах. А затем, за счет меньшей цены за единицу объема в дополнение к другим преимуществам, DDR4 должна добраться и в другие устройства.

Блог компании Intel
Высокая производительность

DDR4 vs. DDR3

Выпуск платформы Socket LGA1151 наконец-то позволил сравнить между собой память стандартов DDR4 и DDR3 в равных условиях. Однако до того как перейти к результатам тестирования, предлагаем сначала более детально изучить различия между данными типами модулей. Это даст нам лучшее представление о том, чего стоит ожидать от новой памяти не только лишь сейчас, да и в ближайшем будущем.

За разработку стандарта DDR4 ассоциация JEDEC взялась еще в 2005 году. В те времена в магазинах еще полных ходом продавались планки DDR2, и только планировался серийный выпуск модулей DDR3. Иными словами, инженеры уже тогда понимали, что возможности данных стандартов ограничены и в какой-то момент они станут лимитировать либо вовсе не соответствовать уровню остальных комплектующих ПК

Причем идет речь не только лишь о пропускной способности памяти, да и о таких важных характеристиках, как энергопотребление модулей и их объем. Как можно убедиться из данной диаграммы, планки DDR4 обходят своих предшественников по всем параметрам.

Увеличение пропускной способности

Пропускная способность подсистемы памяти напрямую находится в зависимости от скорости работы модулей: чем она выше, тем быстрее осуществляется запись и чтение из памяти. Конечно, далеко не все приложения постоянно обмениваются большими массивами данных, поэтому в реальных условиях эксплуатации пользователь может и не ощутить преимущества от установки более производительных комплектов. Но если мы говорим о специализированных программах наподобие видео- и фоторедакторов, CAD-систем или средств для создания 3D-анимации, то результат от применения скоростных модулей уже окажется куда существеннее. Также высокая пропускная способность подсистемы памяти важна при использовании встроенной графики. Ведь у iGPU нет доступа к быстрым чипам GDDR5, поэтому вся необходимая ему информация помещается в оперативку ПК.

Соответственно, в этом случае установка более производительных комплектов памяти напрямую будет влиять на количество FPS на дисплее.

Для формата DDR3 стандартными являются частоты от 1066 МГц до 1600 МГц, и лишь недавно добавилось значение 1866 МГц. Для DDR4 же минимальная скорость работы начинается с отметки 2133 МГц. Да, вы скажете, что модули DDR3 могут наверстать разницу при помощи разгона. Но ведь то же самое доступно и для планок DDR4, у каких и разгонный потенциал выше.

Ведь при помощи оптимизации параметров модули DDR3 обычно берут планку в 2400 – 2666 МГц, для DDR4 без проблем покоряются высоты в 2800 – 3000 МГц.

Если сравнивать стандарты DDR4 и DDR3 исходя из убеждений энтузиастов-оверклокеров, то и тут перевес будет на стороне DDR4. Уже сейчас достигнуто значение в 4838 МГц, а ведь прошел только один год после анонса нового формата. Напомним, рекордной частотой разгона для модулей DDR3 является 4620 МГц, которая была зафиксирована лишь через 7 лет после запуска стандарта DDR3 в производство. Одним словом, в плане скорости работы потенциал у памяти DDR4 очень большой.

Вторым важным преимуществом модулей DDR4 является возможность функционирования на низких напряжениях. Так, для их корректной работы на номинальных частотах (2133 – 2400 МГц) достаточно всего лишь 1,2 В, что на 20% меньше, чем у их предшественников (1,5 В). Правда, с течением времени на рынок была выведена энергоэффективная память стандартов DDR3L и DDR3U с напряжением питания 1,35 и 1,25 В соответственно. Однако она стоит дороже и имеет ряд ограничений (обычно, ее частота не превышает 1600 МГц).

Также память DDR4 получила поддержку новых энергосберегающих технологий. Например, модуль DDR3 использует только одно напряжение Vddr, которое для выполнения некоторых операций повышается при помощи внутренних преобразователей. Тем генерируется лишнее тепло и уменьшается общая эффективность подсистемы памяти. Для планки стандарта DDR4 спецификация предусматривает возможность получения этого напряжения (Vpp, равное 2,5 В) от внешнего преобразователя питания.

Память DDR4 также получила усовершенствованный интерфейс ввода/вывода данных под названием «Pseudo-Open Drain» (POD). От используемого ранее Series-Stub Terminated Logic (SSTL) он отличается отсутствием утечки тока на уровне драйверов ячеек памяти.

В целом же использование всего комплекса энергоэффективных технологий должно привести к 30%-ому выигрышу в энергопотреблении. Возможно, в рамках настольного ПК это покажется несущественной экономией, но если идет речь о портативных устройствах (ноутбуки, нетбуки), то 30% – не такое уж и маленькое значение.

Новый интерфейс связи с контроллером памяти

Новый стандарт памяти предусматривает использование и поболее прогрессивной шины связи модулей с контроллером памяти. В стандарте DDR3 применяется интерфейс Multi-Drop Bus с двумя каналами. При использовании сразу четырех слотов получается, что два модуля подключены к одному каналу, что не самым лучшим образом сказывается на производительности подсистемы памяти.

В стандарте DDR4 усовершенствовали этот интерфейс, применив более эффективную схему − один модуль на один канал. Новый тип шины получил название Point-to-Point Bus. Параллельный доступ к слотам однозначно лучше последовательного, поскольку в дальнейшем позволяет более эффективно наращивать быстродействие всей подсистемы. Может быть сейчас особого преимущества пользователи и не ощутят, однако в дальнейшем, когда возрастут объемы передаваемой информации, оно станет более показательным.

Ведь именно по такой же схеме развивалась видеопамять GDDR и интерфейс PCI Express. Только использование параллельного доступа позволило в значительной степени увеличить их производительность.

Однако шина Point-to-Point Bus накладывает некие ограничения на количество используемых модулей. Так, двухканальный контроллер может обслуживать только два слота, а четырехканальный − четыре. При увеличении объемов планок стандарта DDR4 это не столь критично, но все таки на первых порах может вызвать определенные неудобства.

Решается эта проблема довольно простым способом − путем установки специального коммутатора (Digital Switch) между контроллером и слотами памяти. По принципу своего действия он напоминает коммутатор линий PCI Express. В результате пользователю, как и прежде, будет доступно 4 или 8 слотов (зависимо от уровня платформы), при всем этом будут использоваться все преимущества шины Point-to-Point Bus.

Новые механизмы обнаружения и коррекции ошибок

Потому что работа на высоких скоростях с большими стеками данных увеличивает шанс возникновения ошибок, то разработчики стандарта DDR4 позаботились о реализации механизмов для их обнаружения и предупреждения. А именно, в новых модулях имеется поддержка функции коррекции промахов, связанных с контролем четности команд и адресов, также проверка контрольных сумм перед записью данных в память. На стороне же самого контроллера появилась возможность тестирования соединений без использования инициализирующих последовательностей.