Ddr 400mhz cl3

Содержание

Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400
Ram 2×1 gb DDR 400 Mhz CL3 Pc3200 Low density 184 pin non ECC
Характеристики оперативной памяти Hynix 1GB 400MHz CL3
Дополнительные характеристики
ProMOS 256MB DDR-400MHz-CL3 PC3200U-3033-0-A0 找5cgo.com買就對了
Разгон и тайминги восьми «бюджетных» модулей памяти DDR400 (PC3200) объемом 512Mb
- реклама
- Похожие статьи

Ddr 400mhz cl3 модули на чипах Hynix отстали

Маркировка чипов оказалась другой: заместо HY5DU12822BT мы лицезреем HY5DU56822DT. Таким макаром, выяснить эффект от воздействия резисторов не представляется вероятным. Поэтому проверку мы продолжили только из спортивного энтузиазма.

Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400

«Не может этого быть» — помыслил я, запуская в очередной раз тест памяти. «Это очень высочайшая частота, на данный момент будет уйма ошибок». Но модули памяти не делили мой скепсис и продолжали работать, как ни в чем же не бывало. Тестирование, обещавшее стать рутинной проверкой, внезапно перевоплотился в интереснейшую игру, основная роль в какой была отведена мне.

Вобщем, начиналась эта история буднично. Зайдя в компьютерный магазин, я стал очевидцем разговора: клиент попросил консультанта разъяснить, чем память Kingston на чипах Hynix лучше «обыкновенной» Hynix, и не лучше ли взять Самсунг. Консультант сказал про гарантию, про упаковку и кропотливый контроль свойства на фабриках Kingston и клиент ушел, вполне удовлетворившись ответом. Но меня этот вопрос заинтриговал, и я решил узнать, чем все-таки по сути отличаются модули DDR400 различных производителей.

Поначалу хотелось бы разобраться с чертами. Международная организация JEDEC, занимающаяся разработкой стандартов на электронные устройства, уже давно обозначила верхний предел для модулей стандарта DDR — PC3200. За этой чертой простирается территория дорогой и престижной DDR2. Безусловно, новый тип памяти обладает рядом преимуществ, в чем мы уже успели убедиться, протестировав Corsair DDR2-538 XMS2 и Corsair DDR2-675 XMS2, но при всех своих плюсах эта память обладает одним существенным минусом — высокой ценой, которая делает ее недоступной для обычного пользователя.

Большинство пользователей, прочитав статьи про DDR2, поразятся ее частотному потенциалу, и согласятся, что за этой памятью будущее. Но, придя в магазин, все равно остановят свой выбор на DDR400, ибо именно эти модули представляют собой современный mainstream-срез рынка памяти. Они не хватают звезд с неба, не бьют рекордов, но зато работают стабильно на «номинале», обладают разгонным потенциалом и при всем этом стоят недорого. Обычному пользователю этого будет достаточно.

Мы же исследуем разгонный потенциал наиболее популярных модулей DDR400.

Впрочем, уже неоднократно говорилось, что «не все модули одинаково полезны», поэтому нужно учесть, что даже совпадение маркировки не гарантирует совпадение разгонного потенциала. Другими словами никто не гарантирует, что даже абсолютно идентичный модуль покажет такие же результаты. Ибо не бывает бочки меда без ложки дегтя и стада без паршивой овцы.

Материнская плата — ASUS A8N-SLI, BIOS 1005.002
Процессор — AMD Athlon 64 3000+ (Winchester) 1.8Ghz, 1.4v, S939
Блок питания — Macropower MP-360AR
Кулер — Zalman CNPS7000A-Cu

Из-за особенностей работы ASUS A8N-SLI с памятью, параметр 1Т/2Т Timing был выставлен в положение 2Т и в процессе тестирования не изменялся. Напряжение на память выставлялось 2,8 В и 3,0 В, но разница в частотном потенциале уложилась в погрешность измерений, потому на диаграммах указывать мы будем лишь одно значение. Для того чтобы процессор не мешал разгону, его множитель был понижен до 8. Проверка стабильности осуществлялась с помощью утилиты Memtest86+ v1.55.

Начать проверку было решено с модулей производства Apacer, и этому есть как минимум две причины. Во-первых, с продукцией данной фирмы мы пока не сталкивались, а во-вторых, если расположить модули по алфавиту в соответствии с названиями фирм-производителей, то именно модули Apacer окажутся в этом списке под первым номером.

Модули ничем особым не выделяются, кроме надписи на этикетке, сообщающей о том, что память гарантированно работает как PC3200 с CL2.5. Это приятно, потому что обычно производители недорогих модулей записывают в SPD значение CL=3, из-за чего пользователи, эксплуатирующие память в номинальном режиме, оказываются в проигрыше по сравнению с теми, кто настраивает память вручную.

Судя по маркировке, чипы были произведены на 8 неделе 2005 года, что примерно соответствует концу февраля. Полностью расшифровать маркировку «AM3A5608BQT — 5A» так и не удалось: производитель по каким-то причинам не предоставляет подобную информацию. Ну и на странице с описанием памяти находятся лишь общие сведения.

Посмотрим, что все-таки записано в SPD этих модулей:

Информация на этикетке не обманула: в SPD для частоты 200 МГц действительно указано значение CL2.5 Правда, остальные параметры такого восторга не вызывают: заявленные значения RAS# to CAS# и RAS# Precharge довольно высоки. Впрочем, судить по этим параметрам о разгонном потенциале нельзя. На что способна данная память в действительности мы сейчас и выясним.

Разгонный потенциал модулей не поразил воображения, ведь подсознательно мы ожидали большего, потому что они — одни из самых дорогих в нашем сегодняшнем тестировании (около $53 за модуль на конец апреля 2005). Неужели остальные окажутся еще хуже?

Чтобы выяснить, так ли это, мы решили проверить пару модулей производства Hynix.

Они весьма отличаются от предыдущих модулей. Во-первых, они односторонние, другими словами все 8 чипов памяти расположены с одной стороны печатной платы. Во-вторых, здесь мы видим толстопленочные резисторы, тогда как на всех остальных модулях резисторы согласования с шиной выполнены в виде дискретных компонентов. Практика показывает, что с ними частотный потенциал обычно несколько выше, но их применение усложняет и делает более дорогим производство.

Маркировка чипов говорит о том, что они были произведены позднее: на 13 неделе 2005 года, что соответствует концу марта — началу апреля. На сайте производителя имеется страница, содержащая подробное описание характеристик этих чипов. Судя по этой информации, чипы относятся к DDR400B (3-3-3) и заявлены для работы на частоте 200 МГц с CL3.

Параметры, записанные в SPD, оптимизма не внушают: значение CL = 2.5 доступно на частоте 166 МГц, а CL2 вообще только на 133 МГц. Проверим, являются ли такие значения таймингов излишней перестраховкой.

Как мы видим, производитель памяти явно поскромничал, записав в SPD столь большие значения: модулям покорилась частота 214 МГц с таймингами 2.0-3-3-6. Пределом же оказалась частота 235 МГц, что является довольно хорошим результатом. Хочется лишь добавить, что цена на данные модули относительно невысока (около $48 на конец апреля 2005).

Впрочем, не следует забывать о довольно популярных «безымянных» модулях. Чем они привлекают своих покупателей? Ответ на данный вопрос очевиден: низкой ценой. Мы же постараемся выяснить, какие еще плюсы есть у подобных модулей. Итак, встречайте:

Честно признаюсь, я не ожидал, что «безымянным» окажется модуль, производитель которого нанес свое имя даже на чипы.

К сожалению, расшифровать маркировку также не удалось, но расстроило это не сильно, ведь важно не то, как тебя зовут, а что ты умеешь! Поэтому не будем задерживаться и пойдем дальше, отметив, что чипы произведены на 11 неделе 2005 года (середина марта).

Тайминги, записанные в SPD, чуть выше тех, что мы видели у Hynix, но тем интереснее будет выяснить разгонный потенциал этих модулей.

Проверка показала, что нам, по всей видимости, попались бракованные модули: они не работали с теми параметрами, которые были записаны в SPD. В этом-то и заключается основной минус подобной «безымянной» памяти: если повезет — модуль будет радовать пользователя стабильной работой еще долгие и длительные годы, а если не повезет — не сможет работать даже на номинале. Судя по информации на форумах, брак среди модулей NCP встречается довольно часто, поэтому данная память — не лучший выбор, тем паче что стоит она всего только на $2 дешевле изделий Hynix. Как говорится, разочарование от низкого качества длится дольше, чем радость от малой стоимости.

Ram 2×1 gb DDR 400 Mhz CL3 Pc3200 Low density 184 pin non ECC

Теперь от самых дешевых перейдем к самым дорогим модулям нашего сегодняшнего обзора. Ими оказались модули Kingston KVR.

Эти модули, также как и Hynix, являются односторонними, но мы видим, что резисторы выполнены в виде дискретных компонентов.

Чипы памяти также оказались аналогичными тем, что мы видели у Hynix: HY5DU12822BT-D43, выпущенные на 12 неделе 2005 года. Тайминги, записанные в SPD, также не отличались:

Итак, мы видим, что модули Kingston KVR весьма похожи на Hynix: расположение чипов на PCB, сами чипы и информация, зашитая в SPD, у этих разных модулей практически одинаковы. Посмотрим, будет ли отличаться их разгонный потенциал:

Итак, судя по графику, Kingston превосходит по возможностям обычные модули Hynix лишь при работс с CL=2.5. В остальных же режимах потенциал ниже. Поэтому лично я не вижу причин для того, чтобы переплачивать за имя, когда фактически то же самое можно получить, используя самые обычные модули.

Впрочем, Hynix — это лишь один из полюсов на рынке памяти. Сейчас же мы рассмотрим модули, произведенные извечным конкурентом — Samsung.

Модули, попавшие к нам на тестирование, оказались односторонними: все 8 чипов расположены с «лицевой» стороны платы. На этикетке написано, что память работает как PC3200 с CL3, что не является выдающимся результатом. Рассмотрим теперь сами чипы:

Первая строка говорит о том, что выпущены они на 4 неделе 2005 года. Вторая строка маркировки оканчивается символами «UCCC», но судя по информации с сайта производителя, эти модули ничем не отличаются от TCCC. В процессе поиска была найдена новость, в какой говорится о том, что теперь память производится по 90-нм техпроцессу и в качестве примера приводится фото модулей UCCC. Поэтому можно прийти к выводу, что символ U обозначает лишь принадлежность к новому техпроцессу. Посмотрим, что записано в SPD:

Мы видим, что производитель не поленился и ввел все данные, даже Part Number. Тайминги ничем особенным не удивляют, поэтому не будем долго их рассматривать и незамедлительно приступим к проверке.

При CL=2 результаты оказались довольно низкими, но при увеличении CL до 2.5 разгонный потенциал существенно возрос. При максимальных таймингах память не добрала лишь 2 МГц до уровня 250 МГц, что соответствовало бы DDR500.

Но у нас есть еще модели, способные побороться за звание «лучших в сегодняшнем обзоре» — Patriot PSD512400

Мы видим, что эти модули упакованы в пластиковые коробочки, защищающие их при транспортировке. Оформление упаковки традиционное, а основное отличие от дорогих модулей заключается в габаритах упаковки. Сами модули выглядят традиционно:

Похожую PCB мы уже видели сегодня — у модулей Apacer. Заметить их сходство удалось благодаря тому, что здесь также были пронумерованы слои текстолита:

Несмотря на то, что пронумерованных слоев всего 4, в описании сказано, что используется 6-слойная PCB. Рассмотрим теперь сами чипы:

Расшифровку маркировки на сайте производителя найти не удалось, поэтому остается предположить, что цифры 0512 означают дату выпуска (12 неделя 2005 года). Теперь посмотрим, что все-таки записал производитель в SPD:

Здесь мы снова видим сходство с Apacer: тайминги, заявленные для частоты 200 МГц, равны 2.5-4-4-8. Таким макаром, производитель гарантирует работу на частоте 200 МГц с CL=2.5, что оценят те, кто использует настройки памяти «by SPD». Теперь же посмотрим, на что способны эти модули в действительности:

Тестируемые модули отказывались стартовать с CL=3 на любых частотах. Но ничего страшного в этом нет, тем паче что производителем заявлена лишь возможность работы памяти с CL2.5. Разгонный потенциал находится на среднем уровне, поэтому модули производства Samsung превзойти не удалось.

Впрочем, на этом можно было бы закончить, но в самый последний момент появился очередной участник тестирования — Hynix. Первоначально идея заключалась в том, чтобы сравнить модули с «обычными» резисторами и толстопленочными. Это позволило бы оценить, насколько сильно влияют резисторы на разгонный потенциал.

На фотографии видно, что помимо согласующих резисторов, выполненных в виде «дискретных» компонентов, данные модули отличаются и количеством чипов: здесь их 16 — по восемь с каждой стороны. Но, как оказывается, это были еще не все отличия:

Маркировка чипов оказалась другой: вместо HY5DU12822BT мы видим HY5DU56822DT. Таким макаром, узнать эффект от влияния резисторов не представляется возможным. Потому проверку мы продолжили исключительно из спортивного интереса.

Информация, записанная в SPD, ничем не удивила: заявленные тайминги полностью совпали с теми, что мы видели у «обычных» Hynix DDR400.

После сорвавшегося сравнения, проверять эту память особого желания не было. Мысленно я уже говорил себе: «Пускай этот модуль разгонится на 5 МГц хуже, что это докажет? Чипы-то разные», но любопытство все равно одолевало. Чтобы не тратить на проверку слишком много времени, было принято решение просто выставить тайминги 2.5-3-3-6 и оценить предельную частоту. Для начала была выставлена частота 216 МГц, я запустил тест и стал ждать отчета об ошибках…

Тест прошел дважды, но ни одной ошибки найдено не было. Частота была увеличена до 225 МГц, и снова тест показал, что память работала стабильно. Не веря до конца в реальность происходящего, мы подняли частоту до 235 МГц — снова ни одной ошибки. Проверку на 240 МГц запускали с замиранием сердца — ведь таких частот не достиг ни один модуль в нашем обзоре. «Не может этого быть» — говорил я себе. «Это слишком высокая частота, сейчас будет уйма ошибок».

Но модули памяти не разделяли мой скептицизм и продолжали работать, как ни в чем же не бывало. Тестирование, обещавшее стать рутинной проверкой, неожиданно превратилось в увлекательную игру, главная роль в какой была отведена мне.

Увеличение частоты до 250 МГц также не добавило ошибок — память продолжала работать стабильно, а ведь режим работы уже соответствовал DDR500 с таймингами 2.5-3-3-6.

Ddr 400mhz cl3 таки означает таинственная буква

Едва на 260 МГц разгонный потенциал иссяк: после проверки TestMem нашел одну(!) ошибку. Троекратный прогон теста на частоте 259 МГц ошибок не выявил, поэтому можно с уверенностью сказать, что данная память займет первое место по результатам тестирования. Итак, результаты проверки перед вами:

Очень хороший потенциал для модулей за $53, но почему же другие модули на чипах Hynix отстали так сильно? На официальном сайте есть документ, при помощи которого можно расшифровать маркировку чипов памяти, но четкого ответа на вопрос, что все-таки означает таинственная буква D в строке » HY5DU56822DT «, он не дает:

Мы видим, что этот символ отвечает за «поколение» чипов, но буквы D в списке нет. Судя по тому, что литера B соответствует 3 поколению, а С — 4 поколению, можно предположить, что D символизирует 5 поколение.

Для наглядности объединим все полученные данные в диаграмму:

Первое место с довольно большим отрывом занимают модули Hynix на чипах HY5DU56822DT, почетное второе место — модули Samsung. Далее плотной группой финишируют сразу несколько участников: Kingston, Hynix на чипах HY5DU12822BT, Patriot, Apacer и с огромным отставанием последнее место занимают модули производства NCP.

Какие же выводы можно сделать?

Во-первых, хотелось бы отметить разгонный потенциал модулей Hynix на чипах HY5DU56822DT — безусловно, конкурировать с модулями на чипах Samsung TCCD они не в состоянии, но в своем ценовом диапазоне они являются лидерами. Во-вторых, не стоит принимать во внимание результат модулей NCP, потому что очевидно, что нам попался брак.

Если же попытаться ответить на вопрос «модули какого производителя лучше?», то можно заметить, что имя производителя — это не самое главное. Гораздо важнее то, на каких чипах сделана память. Вот поэтому «безымянный» Hynix сегодня занимает первое место, а Apacer, Patriot и Kingston соревнуются лишь между собой.

Характеристики оперативной памяти Hynix 1GB 400MHz CL3

DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативки, пришедший на замену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодня самым распространенным типом оперативки для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.

На замену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 вдвое выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR — самый первый вид оперативки с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 — следующее поколение оперативки типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

Форм-фактор

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на замену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативка. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативка, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

Количество модулей памяти

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

Размер одного модуля памяти, Мб

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

Тактовая частота, МГц

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

Дополнительные характеристики

Пропускная способность, Гб/с

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

Поддержка ECC

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, обычно, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

Буферизованная (Регистровая) память

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, обычно, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

Низкопрофильная

ProMOS 256MB DDR-400MHz-CL3 PC3200U-3033-0-A0 找5cgo.com買就對了

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

Количество контактов

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

Число чипов на один модуль памяти

Количество чипов (микросхем), созданных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

Напряжение, В

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

Наличие радиатора

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативки. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

CAS Latency (CL), тактов

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативки. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

Упаковка чипов

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

tRCD, тактов

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативка.

tRP, тактов

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

tRAS, тактов

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

Количество ранков

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в главном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

Совместимость

Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.

Разгон и тайминги восьми «бюджетных» модулей памяти DDR400 (PC3200) объемом 512Mb

Если отбросить в сторону философский взгляд на оверклокинг, как на один из способов самоутверждения компьютерных энтузиастов, и лишь вторично принимать во внимание прирост производительности системы в целом после разгона одного из компонентов системного блока, то грамотному и «подкованному» оверклокеру доступен очередной плюс. Это экономия на покупке «железа» при уровне производительности, сопоставимом (а то и большим) с гораздо более дорогими комплектующими. Согласитесь, что приятно, когда Ваш разлоченный и разогнанный «Торик» с дополнительно включенными 256Kb кэш-памяти, купленный за 45$, оставляет позади полуторакилобаксового монстра Pentium 4. Предвосхищая недовольство этим высказыванием фанатов Intel, с другой стороны можно привести в пример удачный экземпляр Celeron D 2.53GHz, разогнанный выше 3.9GHz, и опережающий по производительности Athlon 64 2800+, при стоимости более чем вдвое ниже 🙂. Почему же, наконец, везёт только «грамотному и подкованному» оверклокеру?

Ответ логичен: при малейшей и самой, казалось бы, незначительной ошибке так называемая экономия может обернуться дополнительными расходами на приобретение и замену сгоревших или даже механически поврежденных комплектующих.

К чему такое длинное и тяжело читаемое вступление? А к тому, что в данном тестировании я попытаюсь сэкономить на памяти DDR400 (PC3200), протестировав на разгон и тайминги 8 самых обычных, недорогих и, как следствие, широко распространенных модулей памяти объемом 512Mb. Задача тривиальна (а точнее их две): определить из числа тех модулей, что удалось достать, память с максимально возможной частотой работы при максимальных же таймингах, также найти память, способную работать с минимальными таймингами 2-2-2-5 на как можно более высокой частоте (если так можно выразиться, применительно к памяти данного ценового диапазона).

Объем модулей в 512Mb выбран не случайно. На мой взгляд, сейчас времени и уж точно в ближайшем будущем (1-1,5 года) такой объем является необходимым минимумом оперативки в системе, причем главное – с учетом дальнейшего увеличения до 1Gb и дополнительного прироста производительности в двухканальном режиме работы (сначала это относится к платформе Intel). Хотя опять же получается «палка о двух концах»: работая в одноканальном режиме, один установленный модуль памяти, обычно, покажет заведомо более высокие результаты разгона, но уже никто не гарантирует, что при установке второго аналогичного модуля в двухканальном режиме будет достигнут такой же оверклокерский потенциал. Идеальным решением могло бы стать тестирование всех модулей памяти как в одноканальном, так и в двухканальном режимах, но, увы, по два одинаковых модуля каждого производителя мне не удалось достать 🙁.

Нельзя не сказать и о том факте, что какие бы ни получились результаты и какие бы оверклокерские способности ни продемонстрировали тестируемые модули, их нельзя принимать как безоговорочную истину, распространяющуюся на любые модули этого типа, потому что даже в пределах одной партии чипов результаты разгона могут отличаться (пусть и менее, чем при тестировании процессоров, но разброс все таки присутствует). Все же, сопоставляя модули памяти разных производителей, общую картину вполне можно оценить.