Содержание
- Pc3200u 30330 512mb ddr 400mhz cl3 характеристики
- Дополнительные характеристики
- PC3200 в двухканальной упряжке: экстремальный подход
- 512MB Samsung DDR M368L6423FTN-CCC DDR PC3200 CL3 [10831] — m-ware.de
- Тест озу ddr 256mb pc3200
- Ddr pc3200 cl3
CAS, RAS и Latency
Pc3200u 30330 512mb ddr 400mhz cl3 характеристики
DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативки, пришедший на замену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.
На сегодня самым распространенным типом оперативки для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.
На замену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 вдвое выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.
DDR — самый первый вид оперативки с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.
DDR2 — следующее поколение оперативки типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.
Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.
DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.
Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.
DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на замену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.
SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).
FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативка. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.
LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативка, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.
RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.
Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.
Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.
Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.
Дополнительные характеристики
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, обычно, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, обычно, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.
Количество чипов (микросхем), созданных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативки. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативки. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативка.
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в главном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.
Если отбросить в сторону философский взгляд на оверклокинг, как на один из способов самоутверждения компьютерных энтузиастов, и лишь вторично принимать во внимание прирост производительности системы в целом после разгона одного из компонентов системного блока, то грамотному и «подкованному» оверклокеру доступен очередной плюс. Это экономия на покупке «железа» при уровне производительности, сопоставимом (а то и большим) с гораздо более дорогими комплектующими. Согласитесь, что приятно, когда Ваш разлоченный и разогнанный «Торик» с дополнительно включенными 256Kb кэш-памяти, купленный за 45$, оставляет позади полуторакилобаксового монстра Pentium 4. Предвосхищая недовольство этим высказыванием фанатов Intel, с другой стороны можно привести в пример удачный экземпляр Celeron D 2.53GHz, разогнанный выше 3.9GHz, и опережающий по производительности Athlon 64 2800+, при стоимости более чем вдвое ниже ��. Почему же, наконец, везёт только «грамотному и подкованному» оверклокеру?
Ответ логичен: при малейшей и самой, казалось бы, незначительной ошибке так называемая экономия может обернуться дополнительными расходами на приобретение и замену сгоревших или даже механически поврежденных комплектующих.
К чему такое длинное и тяжело читаемое вступление? А к тому, что в данном тестировании я попытаюсь сэкономить на памяти DDR400 (PC3200), протестировав на разгон и тайминги 8 самых обычных, недорогих и, как следствие, широко распространенных модулей памяти объемом 512Mb. Задача тривиальна (а точнее их две): определить из числа тех модулей, что удалось достать, память с максимально возможной частотой работы при максимальных же таймингах, также найти память, способную работать с минимальными таймингами 2-2-2-5 на как можно более высокой частоте (если так можно выразиться, применительно к памяти данного ценового диапазона).
Объем модулей в 512Mb выбран не случайно. На мой взгляд, сейчас времени и уж точно в ближайшем будущем (1-1,5 года) такой объем является необходимым минимумом оперативки в системе, причем главное – с учетом дальнейшего увеличения до 1Gb и дополнительного прироста производительности в двухканальном режиме работы (сначала это относится к платформе Intel). Хотя опять же получается «палка о двух концах»: работая в одноканальном режиме, один установленный модуль памяти, обычно, покажет заведомо более высокие результаты разгона, но уже никто не гарантирует, что при установке второго аналогичного модуля в двухканальном режиме будет достигнут такой же оверклокерский потенциал. Идеальным решением могло бы стать тестирование всех модулей памяти как в одноканальном, так и в двухканальном режимах, но, увы, по два одинаковых модуля каждого производителя мне не удалось достать ��.
Нельзя не сказать и о том факте, что какие бы ни получились результаты и какие бы оверклокерские способности ни продемонстрировали тестируемые модули, их нельзя принимать как безоговорочную истину, распространяющуюся на любые модули этого типа, потому что даже в пределах одной партии чипов результаты разгона могут отличаться (пусть и менее, чем при тестировании процессоров, но разброс все таки присутствует). Все же, сопоставляя модули памяти разных производителей, общую картину вполне можно оценить.
реклама
Тестируемые модули и их характеристики
Для тестирования удалось достать следующие модули оперативки DDR400 объемом 512Mb:
- DIGMA DMM64V64U-5B;
- Hynix HY5DU56822BT-D43;
- Kingmax MPXC22D-38KT3-FHA;
- Kingston KVR400X64C3A (Kingston);
- Kingston KVR400X64C3A (Hynix);
- NCP NC7337;
- PQI PQ4D328D5;
- Samsung K4H560838E-TCCC.
Рассмотрим любой из них более подробно (в алфавитном порядке).
PC3200 в двухканальной упряжке: экстремальный подход
Выбор оперативки для построения производительной системы — задача более ответственная, чем, скажем, выбор процессора. И приведенные ниже результаты тестирования модулей памяти PC3200 DDR SDRAM обязательно помогут пользователю в выборе оптимального комплекта оперативки для двухканальной конфигурации.
Одним из важных составляющих вычислительной системы является память, «по-научному» называющаяся «оперативным запоминающим устройством». Определение это, хоть и вызывает определенную ностальгию по институтскому курсу микроэлектроники, все же, с ювелирной точностью и универсально. В нашу эпоху гигагерц и гигабайт развитие памяти достигло некоторой критической точки, когда необходим уже качественный, а не количественный скачок вперед (идет речь, конечно, о «мэйнстримовом» рынке).
Память DDR сегодня является наиболее востребованной и популярной — и тому масса причин. Время SDRAM прошло, время RDRAM закончилось, так толком и не начавшись… Остается лишь DDR — «скорость и доступность в одном флаконе». Однако уже сейчас невооруженным глазом виден закат DDR в первой ее инкарнации. До массового внедрения памяти DDR II осталось совсем немного (вторжение на рынок памяти запланировано на 2004 год), поэтому сейчас производители всеми силами стараются продать как можно больше памяти первого DDR, попутно осваивая новые стандарты, такие как DDR 450 и DDR 500.
В этом сравнительном тестировании мы решили «столкнуть лбами» модули памяти DDR 400 от различных производителей. Почему именно DDR 400 (она же PC3200)? Все просто — эта самая память на сей день наиболее популярна при проектировании и сборке высокопроизводительных систем. Более того, именно на работу с такой памятью в наиболее «пиковых» конфигурациях рассчитаны новейшие двухканальные наборы логики от Intel (875P) и nVidia (nForce2 Ultra 400).
Мы не могли пройти минуя этого обстоятельства — и тестировали память именно в двухканальной конфигурации.
Кроме того, мы позволили себе некоторое отступление от канонов «приличного» тестирования и выясняли возможности модулей памяти от каждого бренда именно исходя из убеждений «экстрима» — другими словами, грубо говоря, разгоняли память. Это никоим образом не относится к манипулированию тактовой частотой шины, а касается лишь изменения таймингов памяти.
Динамическая память
В течение вот уже нескольких десятилетий идеология построения массивов памяти не испытывает каких-то революционных изменений. «Косметически» изменяются лишь принципы транспортировки данных, само же ядро остается неизменным — плоская двумерная матрица ячеек памяти.
Элементарная единица памяти — это ячейка, представляющая собой КМОП-транзистор. Благодаря этому и достигается высокая плотность упаковки ячеек памяти при низкой цене производства. Запоминающим элементом является «конденсатор» (емкость затвора), и ячейка может помнить свое состояние очень недолго — всего десятки миллисекунд. Для длительного хранения требуется регенерация — регулярное «освежение» (refresh) памяти, за что эта память и получила название «динамической» — DRAM (Dynamic Random Access Memory).
За гораздо меньший исторический период только тактовая частота процессоров x86 выросла на два порядка — так что разрыв между потребностями процессоров и возможностями ячеек памяти постоянно увеличивается. Для преодоления этого разрыва, во-первых, увеличивают разрядность данных памяти, а во-вторых, строят вокруг массивов ячеек памяти разные хитрые оболочки, ускоряющие процесс доступа к данным. Об этом-то и речь пойдет дальше. Отметим, что все, даже «самые модные», типы памяти — SDRAM, DDR SDRAM и Rambus DRAM — имеют запоминающее ядро, которое обслуживается описанным выше способом.
Память Double Data Rate SDRAM
Оперативка DDR, исходя из соотношения «цена/производительность», на сей день является оптимальной. По правде, при очень неплохих своих характеристиках, модули памяти данного типа стоят достаточно недорого, что и обусловило невероятную популярность DDR SDRAM.
Немало уже было написано и сказано о механизмах работы памяти DDR. Так вспомним об этом лишь для целостности повествования.
Итак, почему, собственно, Double Data Rate? Почему вдвое больше данных? Все просто, если обратиться к принципу работы памяти. Существуют такие понятия, как частота системной шины и частота шины памяти,- причем эти две величины могут как совпадать («синхронный» режим работы), так и не совпадать («асинхронный» режим работы).
Частота шины, в свою очередь,- это число отсчетов генератора в единицу времени. Именно во время этих отсчетов, как под ритмичный бой барабана, и происходят какие-то действия внутри компьютера.
«Обычная» память SDRAM устроена таким макаром, что данные передаются во время отсчета («такта»), лишь когда уровень тактового сигнала изменяется с низкого на высокий. У памяти же DDR данные передаются как во время изменения тактового сигнала с низкого на высокий, так и во время изменения уровня с высокого на низкий. Как говорится, все гениальное — просто. Итого, при одинаковой частоте шины памяти имеем двукратное увеличение объема прокачанных данных в пользу DDR SDRAM.
CAS, RAS и Latency
Одна из наиболее важных скоростных характеристик памяти DDR — CAS Latency. Уверен, что многие сталкивались с этим параметром в BIOS системной платы и все знают: «чем оно меньше — тем быстрее» — но истинную природу вещей объяснить может далеко не каждый. Разберемся, что все-таки по сути означают понятия CAS и CAS Latency и на что эти параметры влияют сначала.
CAS — это сокращение от Column Address Strobe, что в литературном переводе выглядит как «строб доступа к адресу столбца». Как известно, память DRAM структурно может быть представлена в виде плоской двумерной матрицы — наподобие привычной таблицы Excel. Это означает, что каждая отдельно взятая ячейка памяти может быть однозначно адресована при помощи номера строки и номера столбца. Как вы уже догадались, RAS — Row Address Strobe («строб доступа к адресу строки»).
Latency, она же «латентность», она же «задержка»,- одно из ключевых явлений микроэлектроники вообще. Грубо говоря, латентность — это время, которое нужно подождать, чтобы что-то получить. Применительно к технике — время между инициацией и ответом.
Теперь же сузим круг наших исследований, вплотную приблизившись к анализу понятия CAS Latency.
Стоит представить себе «на пальцах» принцип работы простейшего контроллера памяти. Изначально контроллер памяти, традиционно входящий в состав набора логики, инициирует доступ к строке матрицы памяти следующим образом: на адресные выводы посылается адрес строки, активизируется строб доступа к адресу строки (RAS, как уже говорилось выше). Затем происходит ожидание длиной в несколько циклов («тиков» генератора) — оно называется RAS-to-CAS Latency (или RAS-to-CAS Delay). После чего на адресных выводах появляется адрес нужного контроллеру столбца матрицы памяти и активизируется строб доступа к адресу столбца (CAS).
Итак, наш виртуальный контроллер уже «прицелился» на нужную ячейку памяти, остался сущий пустяк: подождать еще несколько циклов, пока данные из ячейки памяти не появятся на выводах памяти. Именно вот этот последний отрезок ожидания и называется «задержка CAS», или же CAS Latency.
Естественно, если CAS Latency = 2, то ожидание появления данных на выводах памяти длится два машинных цикла; если CAS Latency = 3 — то, соответственно, три. Однако здесь имеется один тонкий и довольно спорный момент: например, память с CAS-2 вовсе не быстрее памяти CAS-3 на 33%. Причины таковы:
иногда требуется переместиться к другой строке памяти. В данном случае имеем: активизация RAS, ожидание RAS-to-CAS Delay, затем CAS Latency;
в другом случае требуется выполнить «пакетное» чтение, когда читается большой блок ячеек памяти, расположенных подряд в одной строке. Здесь CAS активизируется лишь однажды, в самом начале пакетного чтения;
фактор, оказывающий наибольшее влияние на механизм RAS/CAS — современные процессоры обладают кэш-памятью значительных размеров! Процент «попадания в кэш» нужных процессору данных может достигать 95-ти — другими словами совсем не обязательно постоянно «дергать» память на предмет извлечения данных.
Участники тестирования
256MB PC3200 CL3
с одной стороны
с одной стороны
с одной стороны
с одной стороны
с одной стороны
32 (8 Мб x 4 банка)
32 (8 Мб x 4 банка)
512MB Samsung DDR M368L6423FTN-CCC DDR PC3200 CL3 [10831] — m-ware.de
32 (8 Мб x 4 банка)
32 (8 Мб x 4 банка)
32 (8 Мб x 4 банка)
32 (8 Мб x 4 банка)
Corsair TWIN512-3200LL
Идеальный набор для построения высокопроизводительной системы. Использованное слово «набор» абсолютно точно описывает данное изделие, потому что в данном случае имеет дело именно с комплектом из двух модулей-«близнецов» CMX256A-3200LL, находящихся в одной общей упаковке и, естественно, продающихся как единое целое. Что это означает? Лишь то, что именно TWIN512-3200LL будет гарантированно работать в двухканальной конфигурации — ведь, как известно, стабильная двухканальная работа гарантируется в этом случае, когда используются модули памяти не только лишь от одного производителя, да и из одной партии.
В случае же с TWIN512-3200LL можно предположить, что оба входящих в комплект модуля не только лишь отвечают названным условиям, да и на заводском конвейере находились на соседних «посадочных местах». Компания Corsair, мировой бренд в производстве оперативки, со смекалкой подошла к вопросу — что явно говорит, что про «набитую руку», по крайней мере, на этом рынке.
Предлагаю немного отвлечься от нашей темы. Вы смотрите телевизор? Я, честно говоря, просто не успеваю. Однако этот ящик стоит тихонечко и пылится.
Неделю назад к ребенку пришли друзья и принесли игровую приставку, которую надо подключать как раз к телевизору. А он не работает! Не люблю когда техника неисправна, поэтому в последнее время нужно его отремонтировать. Ремонт телевизоров в Москве – услуга довольно распространенная. Кроме того, острая конкуренция привела к тому, что телемастер приезжает на дом прямо в день заказа. Кстати, многие неисправности могут быть устранены в течение нескольких минут… Кажется я немного увлекся. Простите великодушно.
Давайте вернемся к основной теме.
Модули CMX256A-3200LL, из которых и состоит комплект TWIN512-3200LL, представляют собой стандартные модули DDR DIMM с 184-мя выводами и содержат по восемь чипов памяти каждый (по четыре чипа с каждой стороны модуля). К сожалению, информация о времени доступа покрыта тайной, поскольку взглянуть на сами чипы памяти нет никакой возможности — они закрыты мощной металлической охлаждающей системой (радиатором), снять которую нельзя. Другими словами, радиатор не только лишь надет на модуль, да и надежно приклеен. В Сети даже присутствуют фото, на которых запечатлены результаты излишнего рвения пользователей, а именно: снятый с CMX256A-3200LL радиатор вместе с чипами памяти, которые оказались вырванными «с мясом».
Индекс LL, присутствующий как в маркировке каждого модуля, так и набора в целом, расшифровывается как Low Latency («низкие задержки»). И действительно, при заявленных производителем таймингах 2-3-2-6 в нашем случае комплект TWIN512-3200LL без особых проблем «завелся» с таймингами 2-3-2-5, вынудив тестовый стенд показать высочайшую производительность. Более того, TWIN512-3200LL — один из немногих в нашем тестировании комплектов, позволивших достичь CAS Latency = 2 при частоте системной шины 800 МГц и шины памяти 200 МГц.
Kingston KVR400X64C3/256
Еще один «тяжеловес» на рынке производителей памяти, Kingston, тоже порядком порадовал нас предоставленными для тестирования модулями. Несмотря на полное отсутствие «шика» (как то: расписные радиаторы на чипах памяти и упаковки с орденами и восторженными отзывами прессы), DDR-память от Kingston скромно, но весьма уверенно вплотную приблизилась к изделию Corsair исходя из убеждений общей производительности системы. Разница в производительности «реальных» приложений крайне мала — и если бы она не наблюдалась в большинстве измерений, можно было бы говорить о погрешности результатов. Ну а в синтетических тестах «упряжка» из двух KVR400X64C3/256 достаточно заметно отстала от TWIN512-3200LL — однако на то она и «синтетика», чтоб выявить положение дел на самом приближенном к «железу» уровне.
KVR400X64C3/256 практически полностью повторили формулу таймингов CMX256A-3200LL — за тем только исключением, что CAS Latency все-таки осталась на отметке 2,5. Хотя «перестраховщики» из Kingston все равно рекомендуют для пущей стабильности устанавливать CAS Latency = 3.
Итого, тайминги KVR400X64C3/256 в нашем случае выглядят как 2,5-3-2-5.
Тест озу ddr 256mb pc3200
takeMS MS64D3200U-5
Модули памяти от takeMS появились на украинском рынке достаточно недавно — все же, успели уже снискать популярность в народе, благодаря весьма лояльной ценовой политике компании и собственной неплохой производительности.
takeMS MS64D3200U-5 не хватает звезд с неба, по результатам тестов находясь примерно в средине плотной «толпы» модулей памяти от производителей недорогих решений. Величины задержек, которых удалось достичь, восторженного «ах!» не вызывают, однако они вполне неплохи, особенно если учесть невысокую цену этой памяти.
A-Data ADBGB1808
Продукт от A-Data произвел очень хорошее впечатление. Исходя из убеждений производительности модули от A-Data являются практически лучшими из всех недорогих решений. Особенно радует, что лишь эта память могла составить конкуренцию Corsair по значению CAS Latency, которое удалось зафиксировать на отметке 2 такта.
ADBGB1808 состоит из восьми чипов производства Hynix c временем выборки 5 нс. Производительность на высоте — особенно если учесть, что имеем дело с «обычной» бюджетной памятью.
Apacer 256 MB PC3200 CL3
Единственный комплект модулей, которые не удалось однозначно идентифицировать. Как видим, у каждого из производителей предусмотрены собственные уникальные индексы для модулей памяти. Apacer же, не мудрствуя лукаво, назвала модули «256 MB PC3200 CL3». По крайней мере, никаких других обозначений на сайте производителя обнаружено не было.
Однако в этом случае это скорее достоинство, чем недостаток — в таком «банальном» названии просматривается абсолютно вся необходимая информация для потенциального пользователя.
Модули памяти от Apacer построены на основе чипов Infineon, время выборки — 5 нс. Показатели производительности при «тайминговой» формуле 2,5-3-3-5 особо не впечатляют, однако производитель вообще рекомендует использовать значение CAS Latency = 3, поэтому 2,5 можно считать маленькой победой.
Samsung M368L3223ETM
Замыкает парад пара модулей M368L3223ETM от Samsung Electronics. Эта корейская компания всегда производила отличную память, поэтому к неплохим результатам мы были готовы заранее.
При заявленной CAS Latency = 3 эти модули удалось «завести» при CAS Latency = 2,5. Естественно, память от Samsung построена на базе чипов от самой же Samsung (время выборки — 5 нс).
Производительности этой пары модулей оказалась действительно на высоте, по нашему рейтингу — примерно третье место после «болидов» от Corsair и Kingston.
Стоит особо отметить тот факт, что на сайте компании представлена подробнейшая информация обо всех модулях памяти, чего, к сожалению, нельзя сказать о некоторых других производителях, чьи модули принимали участие в тестировании.
Методика тестирования
Аппаратная конфигурация
Intel Pentium 4 3,2 ГГц (частота системной шины 800 МГц)
ASUS P4C800 (набор логики Intel 875P)
HIS Excalibur Radeon 9800 Pro Platinum IceQ (AGP 8X, 128 Мб DDR)
Western Digital WD800 80 Гб, UltraATA-100
Программное обеспечение
Microsoft Windows XP Professional Service Pack 1
Ddr pc3200 cl3
Увлеченным
Электрическое Электро
Себе и любимым
Все в дом В дом
Передвигаемся
Себе и любимым
Передвигаемся
Попробуйте эти варианты поиска:
- Компьютерная техника → Софт → Игры для PC 44429
- Комплектующие → Для компьютеров → Модули памяти 1315
- Россия и СССР → СССР 1917-1991 годов → 3 копейки 49385
- Компьютерная техника → Носители информации → Карты памяти 188
- Юбилейные и памятные монеты → Россия с 1997 г. → 3 рубля 8047
- Комплектующие → Для ноутбуков → Модули памяти 140
- Видео, Фото, Кино → Аксессуары → Карты памяти, Хранение данных 73
| Уточните поиск |
| Компьютерная техника (1995) • Софт (1443) Игры для PC (1405) • Комплектующие (436) Для компьютеров (397) Коллекционное (919) • Марки (404) Европа (264) • Копии, реплики (106) Копии и реплики наград, жетонов, медалей, значков (94) • Открытки (88) Иностранные (51) Музыка (241) • Пластинки (128) Советская эстрада (53) Зарубежный рок (28) Телефоны (138) • Другое (37) Спорт-снаряжение (36) • Туристическое снаряжение (33) |
Увлеченным
Электрическое
Себе и любимым
Все в дом
Передвигаемся
Остальное
Все права защищены 1999-2023 Мешок Fri, 24 Mar 2023 17:58:04 +0300 Похожие статьи
Что будем искать? Например,Человек |
