Ddr sdram pc3200

Содержание

OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition
Тесты памяти DDR400 (PC3200) и DDR333 (PC2700) в старом компьютере
Dosbenching — ASUS A7V8X-X, Athlon XP 2800+ CPU, 512MB PC3200 DDR, GeForce FX5200 128MB AGP
Unboxing QUMOX 2GB (2X1GB) DDR SDRAM DIMM KIT | DDR PC3200 Desktop Memory
Современные типы памяти DDR, DDR2, DDR3 для настольных компьютеров
- Похожие статьи

Ddr sdram pc3200 котором ее пропускная способность

Как лицезреем, прошитые в SPD тайминги отличаются от заявленных в спецификации. По всей видимости, изготовлено это с тем, что для работы OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition на заявленных таймингах требуется напряжение 2.8В, а по дефлоту материнские платы выставляют 2.5-2.6В, что может быть недостаточно для пуска системы. По этому для наибольшей производительности придется настраивать напряжение и тайминги вручную.

OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition

Сейчас пойдет речь о продукции отлично известной компании OCZ Technology. В списке продукции, производимой OCZ Technology, есть много моделей, сердечком которых являются чипы, сделанные компанией, чьё заглавие голубит слух каждого оверклокера — Winbond. В текущее время при производстве этих моделей используются чипы UTT CH-5 и UTT BH-5.
Как многие знают, эти чипы пришли на замену знаменитым чипам Winbond BH-5, снятых с производства в уже дальнем 2003 году. Они были известны тем, что могли кооперировать внутри себя две, казалось бы, противоречивые черты: работу на малых таймингах и высочайшие частоты. Все это отлично смешивалось в их при одном условии: Высочайшее Напряжение. Напряжение, которое для всех других чипов, было смертельно, присваивало BH-5 2-ое дыхание, позволяя демонстрировать р.

25 января 2006, среда 05:01
Shurik Dribenetc [ ] для раздела Блоги
3070 Gigabyte Gaming за 50 тр с началом
Много 4080 от 100тр — цены в рублях не вырастают

3080 за 70 тр — цены опять пошли вниз
3060 дешевле 30тр стоимость — как при курсе 68
4070 Ti Gigabyte Gaming дешевле хоть какой другой
За пост начислено вознаграждение

Сейчас пойдет речь о продукции отлично известной компании OCZ Technology. В списке продукции, производимой OCZ Technology, есть много моделей, сердцем которых являются чипы, изготовленные компанией, чьё название ласкает слух каждого оверклокера — Winbond. В текущее время при производстве этих моделей применяются чипы UTT CH-5 и UTT BH-5.
Как многие знают, эти чипы пришли на замену легендарным чипам Winbond BH-5, снятых с производства в уже далеком 2003 году. Они были известны тем, что могли совмещать внутри себя две, казалось бы, противоречивые черты: работу на минимальных таймингах и высокие частоты. Все это прекрасно сочеталось в них при одном условии: Высокое Напряжение. Напряжение, которое для любых других чипов, было смертельно, придавало BH-5 второе дыхание, позволяя показывать результаты, недостижимые до сего времени.

Не случайно системы, входящие в лидирующие группы во всевозможных бенчмарках, имеют в своем составе память на чипах Winbond ВН-5.
И сейчас мы попробуем разобраться, на что способна память, построенная на приемниках этих чипов и сможет ли она стать полноценной заменой модулям, основанных на BH-5.

Итак, представляем главного героя сегодняшнего обзора: модули памяти

OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition

Комплект OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition состоит из пары модулей DDR400 SDRAM ёмкостью 512 Мбайт. По словам производителя, данные модули были разработаны для применения в системах на базе Athlon 64 с двухканальным контроллером памяти и проходят предварительное тестирование именно на таких системах.

Давайте познакомимся с этой памятью поближе.

Вид у модулей OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition достаточно привлекательный. Модули облечены медными радиаторами с напылением золотого цвета и химически отполированными до зеркального блеска.

Существует мнение, что эти теплораспределители, быстро пачкаются и царапаются, но спешу вас заверить, что это не так. Через мои руки прошел не один набор памяти этого производителя, но ни один я так и не смог поцарапать, а «заляпанность», убирается простой салфеткой или мягкой тканью, в результате чего модуль выглядит как новый. Сами теплораспределители состоят из двух медных пластин, термоинтерфейса и двух крепежных скоб и выглядят следующим образом:

Под теплораспределителями скрыты двухсторонние 16-чиповые модули памяти:

Как известно, OCZ Technology перемаркировывает используемые чипы, поэтому их родословную приходится определять по вторичным признакам, у Winbond UTT BH-5 таковыми являются две круглые вмятины на чипе и четыре металлические пластины по краям, по паре с каждой стороны.

Производитель гарантирует работу данных модулей на частоте 400МГц с таймингами 2-2-2-5-1Т уже при 2.8 вольтах. В то время как далеко не все оригинальные ВН-5 на это были способны.
Официальная спецификация модулей выглядит следующим образом:

— Частота: 400 МГц DDR;
— Штатные тайминги: 2-2-2-5;
— Номинальное напряжение: 2.8В;
— Комплект включает 2 184-контактных не буферизованных DDR SDRAM модуля по 512 Мбайт каждый;
— Модули снабжены медными радиаторами с зеркально-платиновой поверхностью;
— На модули распространяется пожизненная гарантия.

Так же необходимо подчеркнуть две фирменные технологии, присущих этим модулям как продукции OCZ Technology. Это ULN2 (Ultra Low Noise), подразумевающая использование специальной печатной платы, специально оптимизированной с учётом минимизации электромагнитных помех, (разработка компания BrainPower) и EVP (Extended Voltage Protection), позволяющая безопасно эксплуатировать модули при напряжении питания до 3В с отклонениями +5%

Информация, прописанная в SPD модулей, несколько отличается от официальной спецификации:
Вот что демонстрирует Everest.

CPU-Z показывает следующее:

Как видим, прошитые в SPD тайминги отличаются от заявленных в спецификации. По всей видимости, сделано это с тем, что для работы OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition на заявленных таймингах требуется напряжение 2.8В, а по дефлоту материнские платы выставляют 2.5-2.6В, что может быть недостаточно для запуска системы. По этому для максимальной производительности придется настраивать напряжение и тайминги вручную.

OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition в разгоне

Заявленные производителем характеристики рассматриваемых модулей памяти выглядят весьма заманчиво. Действительно, с такими таймингами способна работать далеко не каждая память, а если быть точнее, то такие модели можно пересчитать пальцами одной руки.

Для тестирования была использована следующая система:
— Процессор: AMD Athlon 64 3200+ (Socket 939, 2.0 ГГц, 512 Кбайт L2, Winchester);
— Материнская плата: DFI NF3 Ultra-D (Socket 939, nForce3 Ultra);
— OCZ DDR Boster
— Видеокарта: Sparkle GeForce 6800 128Mb.
— Дисковая подсистема: Samsung 80GB (SATA150).
— Операционная система: Microsoft Windows XP SP2.

Целью тестирования являлось определение предельных частот, на которых могут работать OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Gold Edition при установки минимальных таймингов и при различных напряжениях питания. Стабильность работы памяти проверялась прогоном тестовых пакетов SuperPI 32M, S&M, MemTest86+ 1.60v и GoldMemory, потому что эти утилиты создают наиболее большую нагрузку для подсистемы памяти.
Хочу сразу отметить, что память не тестировалась с таймингами отличными от 2-2-2-5, потому что увеличение задержек очень слабо влияет на разгонный потенциал данных чипов, в пределах 5МГц, а таким приростом частоты при таком ослаблении таймингов можно пренебречь. Так же все вторичные тайминги стояли как Auto.

Тестирование проводилось поэтапно.
Для начала выставлялись стандартное напряжение 2,8В и заявленные тайминги 2-2-2-5, частота 200МГц.
После прохода всех тестов, находилась максимально стабильная частота на дефолтном напряжении. Затем напряжение поднималось на 0.1В и опять осуществлялся поиск максимально стабильной частоты. Но тут есть один нюанс. Производитель дает пожизненную гарантию на эти модули при их использовании на напряжении 3.0В с отклонением в 5%, но для этой памяти такого напряжения явно не достаточно, потому что на нем память осилила всего 221МГц и даже 5% прибавка напряжения позволила достичь только 225 МГц.
Но для того мы и оверклокеры, что бы рассмотреть все возможные режимы памяти. В конечном итоге после длительных поэтапных тестов я уперся в напряжение 3.68В, что считается очень большим для чипов UTT. Память очень сильно разогревалась, и поэтому пришлось использовать два спаренных 80мм вентилятора на 12В. При таком напряжении и таком охлаждении память покорила частоту в 260.8МГц

Но для повседневного использования такое напряжение использовать довольно опасно, по этому было принято решение о нахождении компромисса между частотой, напряжением и шумностью охлаждения. В результате экспериментов, я пришел к такому результату:
Напряжение 3.50В, частота 252МГц, и также два вентилятора, но только при питании от 7-8В.

Так же можно посмотреть результат всего тестирования, зависимость частоты от напряжения на следующем графике.

Заключение
Я убедился, что данная память может соперничать со старыми BH-5, и тем паче составить конкуренцию весьма популярной памяти на чипах Samsung TCCD. Эта память так же любит высокое напряжение, и прирост частоты наблюдается с каждым дополнительным вольтом. Но у этой памяти есть и свои недостатки, эта память с трудом переносит поднятие напряжения выше чем 3,4 в. без дополнительного охлаждения, ну и поднимать выше 3,5 в. не рекомендуется вовсе, потому что нередки случаи выхода из строя данной памяти.

P.S. Идеальным вариантом было бы произвести замеры производительности системы во всем диапазоне частот и таймингов, и показать, какую прибавку дают минимальные тайминги и увеличение частоты при сохранении минимальных таймингов.

В качестве теста я использовал 3DMark2001, потому что он уже давно стал процесорным тестом, а не видео системы.
Разница, при частоте 242МГц и таймингами 2.0-2-2-5 и 2.5-3-3-7 равна 1292 попугая.

Ddr sdram pc3200 Gigabyte Gaming дешевле

Но увы. Я смог сделать всего один замер на частоте 242MHz. Несмотря на многочисленные предупреждения я решил рискнуть и добавил еще чуть – чуть напряжения. Всего лишь до 3,7 в… Ведь у меня два вентилятора…
Ну что ж, придется повторить снова: увеличение напряжения на Winbond UTT BH-5 выше 3,5В опасно.
Теперь у меня теперь еще есть одно тому подтверждение.

За пост начислено вознаграждение

Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news — это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.

Тесты памяти DDR400 (PC3200) и DDR333 (PC2700) в старом компьютере

Есть у меня старенький компьютер – двухъядерный Athlon. Провожу на нем временами различные эксперименты, ради которых свой основной компьютер трогать не хочется. Возникло желание расширить у него память.

Память DDR (первая = DDR1), которая в нём используется давно в дефиците. Стоит она дороже в разы, чем современная DDR3. Естественно, что покупать её по таким ценам не хочется. Порылся у себя – нашел две планки DDR400 (PC3200) по 512 Мб. Одна, к сожалению, глючная.

Поспрашивал у знакомых админов, насобирал еще пару планок DDR400 (PC3200) по 256 Мб и одну DDR333 (PC2700) на 512 Мб.

Ранее в системнике было уже две планки DDR400 по 256 Мб. Всего слотов на материнской плате четыре. Как известно модули лучше ставить парами, так они работают в двухканальном режиме, что заметно быстрее.

Из собранных модулей памяти получалось, что можно установить парами либо все по DDR400 на 256 Мб и получить в сумме 1 Гб DDR400, либо две планки DDR400 на 256 Мб, одну DDR400 на 512 Мб и одну DDR333 на 512 Мб, получив в сумме 1,5 Гб, работающих в режиме DDR333.

Интересно, что лучше для Windows 7? Лучше иметь 1 Гб DDR400 или 1,5 Гб DDR333?

Первый вариант, в теории, конечно, быстрее. Но на самом деле утилита Memtest86+ показала для DDR400 пропускную способность 1893 Мб/c, в то время как для DDR333 (DDR315) – 1635 Мб/с. Другими словами реально разница минимальна.

Несмотря на результаты теста хотел поставить себе все планки DDR400, тем паче, что компьютер тестовый, много софта на нем одновременно не запускается. Подумал, что пусть лишь 1 Гб, но работает быстрее. К сожалению, ничего не вышло. Две дополнительных планки DDR400 по 256 Мб, которые я нашел, не захотели работать в двухканальном режиме.

Не знаю в чем причина, видимо из-за того, что они разных производителей и у них разнятся некие параметры.

Dosbenching — ASUS A7V8X-X, Athlon XP 2800+ CPU, 512MB PC3200 DDR, GeForce FX5200 128MB AGP

Две «живые» планки DDR400 по 512 Мб у меня тоже разных производителей и тем паче они разного класса – DDR400 и DDR333. Установил дополнительно их. Благо они заработали в двухканальном режиме. Когда производится такая установка, то все планки памяти в компьютере работают в режиме наименьшей, в этом случае – DDR333.

С автонастройками в BIOS для памяти утилита Memtest86+ выдала ошибки. Честно говоря, то совсем уже было расстроился. Но потом решил попробовать установить настройки вручную. Примечательно, что я не повышал и не уменьшал частоты, а выставил, как и положено DDR333 (166 МГц), ну и на всякий выставил жестко напряжение для памяти 2,6 В. В результате тест Memtest86+ дважды прошел без проблем.

Таким макаром, сейчас в тестовом компьютере у меня 1,5 Гб DDR333. Windows 7 работает.

Как вывод, что особенно хотелось бы подчеркнуть, – это малое различие скорости между DDR400 (PC3200) и DDR333 (PC2700), также, если у вас будут проблемы с тестом памяти, особенно когда она «разношерстная», пробуйте устанавливать вручную её параметры в BIOS.

Unboxing QUMOX 2GB (2X1GB) DDR SDRAM DIMM KIT | DDR PC3200 Desktop Memory

Компьютер
Тесты оборудования

Современные типы памяти DDR, DDR2, DDR3 для настольных компьютеров

В данной статье мы рассмотрим 3 вида современной оперативки для настольных компьютеров:

DDR — является самым старым видом оперативки, которую можно еще сегодня купить, но ее рассвет уже прошел, и это самый старый вид оперативки, который мы рассмотрим. Вам придется найти далеко не новые материнские платы и процессоры которые используют этот вид оперативки, хотя множество существующих систем используют DDR оперативку. Рабочее напряжение DDR — 2.5 вольт (обычно увеличивается при разгоне процессора), и является наибольшим потребителем электроэнергии из рассматриваемых нами 3 видов памяти.
DDR2 — это наиболее распространенный вид памяти, который используется в современных компьютерах. Это не самый старый, да и не новейший вид оперативки. DDR2 в общем работает быстрее чем DDR, и поэтому DDR2 имеет скорость передачи данных больше чем в предыдущей модели (самая медленная модель DDR2 по своей скорости равна самой быстрой модели DDR). DDR2 потребляет 1.8 вольт и, как в DDR, обычно увеличивается напряжение при разгоне процессора
DDR3 — быстрый и новый тип памяти. Опять же, DDR3 развивает скорость больше чем DDR2, и таким макаром самая низкая скорость такая же как и самая быстрая скорость DDR2. DDR3 потребляет электроэнергию меньше других видов оперативки. DDR3 потребляет 1.5 вольт, и немного больше при разгоне процессора

Таблица 1: Технические характеристики оперативки по стандартам JEDEC

JEDEC — Joint Electron Device Engineering Council (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам)

Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт за секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа — PC3200. В ближайшее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается.

Таким макаром, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.

Но на максимальную производительность памяти также влияет такие важный параметры как «тайминги памяти».

Известно, что логическая структура банка памяти представляет собой двумерный массив — простейшую матрицу, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое произвольной ячейки массива, контроллер памяти должен задать номер строки RAS (Row Adress Strobe) и номер столбца CAS (Column Adress Strobe), из которых и считываются данные. Понятно, что между подачей команды и ее выполнением всегда будет какая-то задержка (латентность памяти), вот ее-то и характеризуют эти самые тайминги. Существует множество различных параметров, которые определяют тайминги, но в большинстве случаев используются четыре из них:

CAS Latency (CAS) — задержка в тактах между подачей сигнала CAS и непосредственно выдачей данных из соответствующей ячейки. Одна из важнейших характеристик любого модуля памяти;
RAS to CAS Delay (tRCD) — количество тактов шины памяти, которые должны пройти после подачи сигнала RAS до того, как можно будет подать сигнал CAS;
Row Precharge (tRP) — время закрытия страницы памяти в пределах одного банка, тратящееся на его перезарядку;
Activate to Precharge (tRAS) — время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge), которой заканчивается работа с этой строкой, или закрытия одного и такого же банка.

Если вы увидите на модулях обозначения «2-2-2-5» или «3-4-4-7», можете не сомневаться, это упомянутые выше параметры: CAS-tRCD-tRP-tRAS.

Стандартные значения CAS Latency для памяти DDR — 2 и 2.5 такта, где CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read. В некоторых системах возможны значения 3 или 1.5, а для DDR2-800, например, последняя версия стандарта JEDEC определяет этот параметр в диапазоне от 4 до 6 тактов, при том, что 4 — экстремальный вариант для отборных «оверклокерских» микросхем. Задержка RAS-CAS и RAS Precharge обычно бывает 2, 3, 4 или 5 тактов, а tRAS — чуть больше, от 5 до 15 тактов. Естественно, чем ниже эти тайминги (при одной и той же тактовой частоте), тем выше производительность памяти.

Например, модуль с латентностью CAS 2,5 обычно работает лучше, чем с латентностью 3,0. Более того, в целом ряде всевозможных случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте.

В таблицах 2-4 предоставлены общие скорости памяти DDR, DDR2, DDR3 и спецификации:

Тип	Частота шины	Скорость передачи данных	Тайминги	Заметки
PC2100	133	266	2.5-3-3-7	Старые ПК, ноутбуки
PC2700	166	333	2.5-3-3-7	Старые ПК, ноутбуки
PC3200	200	400	2.5-3-3-8	Популярная стандарт
PC3500	217	433	2.5-3-3-7	Оверклокерные стандарты
PC3700	233	466	2.5-3-3-7
PC4000	250	500	2.5-3-3-7
PC4400	275	550	2.5-3-3-7
PC4800	300	600	2.5-4-4-10

Таблица 2: Общие скорости памяти DDR и спецификации

Тип	Частота шины	Скорость передачи данных	Тайминги	Заметки
PC2-3200	200	400	3-3-3-12	Редко встречаеться
PC2-4200	267	533	4-4-4-12	Популярная стандарт
PC2-5300	333	667	5-5-5-15	Широко используемые
PC2-6400	400	800	5-5-5-15	Последний стандарт
PC2-8000	500	1000	5-5-5-15	Оверклокерные стандарты
PC2-8500	533	1066	5-5-5-15
PC2-8888	556	1111	5-5-5-15
PC2-9136	571	1142	5-5-5-15
PC2-10000	625	1250	5-5-5-18

Таблица 3: Общие скорости памяти DDR2 и спецификации

Тип	Частота шины	Скорость передачи данных	Тайминги	Заметки
PC3-8500	533	1066	7-7-7-20	чаще называемые DDR3-1066
PC3-10666	667	1333	7-7-7-20	чаще называемые DDR3-1333
PC3-12800	800	1600	9-9-9-24	чаще называемые DDR3-1600
PC3-14400	900	1800	9-9-9-24	чаще называемые DDR3-1800
PC3-16000	1000	2000	TBD	чаще называемые DDR3-2000

Таблица 4: Общие скорости памяти DDR3 и спецификации

DDR3 можно назвать новичком среди моделей памяти. Модули памяти этого вида, доступны только около года. Эффективность этой памяти продолжает расти, только недавно достигла границ JEDEC, и вышла за эти границы. Сегодня DDR3-1600 (высшая скорость JEDEC) широко доступна, и больше производителей уже предлагают DDR3-1800).

Прототипы DDR3-2000 показаны на современном рынке, и в продажу должны поступить в конце этого года — начале будущего года.

Процент поступления на рынок модулей памяти DDR3, согласно с данными производителей, все еще небольшая, в пределах 1%-2%, и это значит, что DDR3 должен пройти длинный путь до того как будет соответствовать продажам DDR (все еще находиться в пределах 12%-16%) и это позволит DDR3 приблизиться к продажам DDR2. (25%-35% по показателям производителей).

Похожие публикации

Сохрани свой винчестер
Глоссарий современной 3D терминологии
Разгон видеокарт